ZHCUAT8 January   2023

 

  1.   摘要
  2.   商标
  3. 1通用 TI 高压评估用户安全指南
  4. 2说明
    1. 2.1 特性
    2. 2.2 应用
    3. 2.3 接头、连接器、测试点和跳线说明
    4. 2.4 电气规格
    5. 2.5 功能块
      1. 2.5.1 使用 UCC14240-Q1 的分离轨辅助电源
  5. 3测试总结
    1. 3.1 设备
    2. 3.2 设备设置
      1. 3.2.1 直流电源设置
      2. 3.2.2 软件
      3. 3.2.3 跳线（分流器）设置
      4. 3.2.4 用于低压测试的工作台设置
  6. 4低压测试程序示例
  7. 5EVM 隔离
  8. 6原理图
  9. 7布局
  10. 8物料清单
  11. 9修订历史记录

5 EVM 隔离

图 5-1 中显示的电路板视图可分为三个部分。

  1. 栅极驱动器初级侧
  2. 高侧栅极驱动器次级
  3. 低侧栅极驱动器次级

当 EVM 通过高压直流总线连接到 SiC MOSFET 电源模块时，两个次级侧都存在高电压。初级侧和次级侧之间的隔离元件有两个 UCC5880-Q1 和两个 UCC14240-Q1。UCC5880-Q1 隔离能力为 5000Vrms，而 UCC14240-Q1 为 3000Vrms（有关最新信息，请参阅器件数据表）。

为了尽可能降低触电风险，请始终遵循开发实验室通常遵循的安全惯例。请参阅此 EVM 随附的 TI EVM 高电压指南。

在高电压测试期间测量 EVM 板上的任何信号时请小心。

GUID-20230119-SS0I-SC90-LTQF-HJLP0BRSF1ZZ-low.png图 5-1 EVM 初级和次级