ZHCUAO3 February 2023 MSPM0L1227 , MSPM0L1227-Q1 , MSPM0L1228 , MSPM0L1228-Q1 , MSPM0L2227 , MSPM0L2227-Q1 , MSPM0L2228 , MSPM0L2228-Q1
结构
|
标头 |
长度 |
CMD |
地址 |
数据 |
CRC32 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
0x80 |
L1 |
L2 |
0x20 |
A1...A4 |
D1...Dn |
C1 |
C2 |
C3 |
C4 |
描述
程序命令用于在从 A1...A4 开始的存储器地址中写入数据 D1 到 Dn。该命令执行阻塞式写操作。编程完成后,消息响应将发送到主机。
允许主闪存(应用程序存储器)、非主闪存(配置存储器)和 SRAM 存储器进行编程。有关绝对地址范围的详细信息,请参阅器件特定数据表。
编程前,闪存存储器应由主机擦除。有关擦除主闪存区域的更多详细信息,请参阅 Flash range erase 和 Mass erase。非主闪存只能通过 Factory reset 命令进行擦除。
由于闪存控制器特性,数据的起始地址和长度应该为 8 字节对齐以进行闪存编程。
主机无法完全访问 SRAM 存储器。有关更多详细信息,请参阅Topic Link Label3.3.1。
保护
是
地址
要编程的存储器区域的起始地址。A1...A4,其中 A1 是 32 位地址的最低有效字节。
数据
要写入指定地址的数据字节。可发送的数据的最大大小受器件缓冲区大小的限制。通过 Get Device Info 命令可以知道缓冲区大小。
命令返回
BSL 确认和带有有关操作状态的消息的 BSL 内核响应。有关更多详细信息,请参阅Topic Link Label4.4.1部分。
示例
主机:80 0D 00 20 00 00 00 00 00 00 00 04 00 00 00 08 7A DC AE B8
BSL:00 08 02 00 3B 00 38 02 94 82