ZHCT991 November   2025 TPS563252 , TPSM863252

 

  1.   1
  2.   摘要
  3. 1EMI的噪声来源
    1. 1.1 低频段(lt30MHz)EMI噪声来源
    2. 1.2 高频段(gt30MHz)EMI噪声来源
  4. 2Buck电路中影响EMI的因素分析
    1. 2.1 Buck电路中的EMI噪声分析
    2. 2.2 Buck电路中改善EMI的方法
  5. 3Buck Converter电路中影响EMI的因素分析
  6. 4Buck Module电路中影响EMI的因素分析
  7. 5实验结果
  8. 6总结
  9. 7参考资料

高频段(>30MHz)EMI噪声来源

高频段(>30MHz)EMI噪声主要以辐射干扰为主。此频段的噪声主要通过 空间电磁场辐射,典型来源包括:

  1. 高速数字电路的辐射(30MHz ~ 几GHz )。噪声来源主要包括:高频时钟信号(如CPU时钟、DDR内存总线);高速串行接口(PCIe、HDMI、USB 3.0)的差分对辐射;PCB布局不良(如长走线、阻抗不匹配导致的振铃)。
  2. 开关电源的高频噪声(30MHz ~ 300MHz )。噪声来源主要包括:开关管的快速切换(ns级上升时间)产生的高次谐波;变压器/电感的寄生谐振(如1-100MHz的振铃)。
  3. 无线通信设备的杂散辐射(300MHz ~ 6GHz)。噪声来源主要包括:WiFi、蓝牙、5G模块的本振泄漏;天线耦合的谐波或互调失真。
  4. 静电放电(ESD)与瞬态脉冲(可达GHz级)噪声来源主要包括:人体或设备接触时的静电放电;继电器/开关的触点火花。