ZHCT358 October 2021 BQ25980
由于连接两个不同电压电容器时会出现电流尖峰,开关中会以额外导通损耗的形式消耗部分慢速开关功率损耗。电流尖峰会增加电流均方根 (RMS) 值并导致额外的导通损耗。提高开关频率是降低 RMS 电流的一种方法,但是,开关损耗将会增加。
双相交错拓扑是一种在不增加开关损耗的情况下降低 RMS 电流的方法。双相拓扑可从输入源实现连续电流;因此,能够减少输入电压纹波。图 6-1 在仿真中使用相同的总飞跨电容器,比较了单相和双相交错开关场效应晶体管 (FET) 电流波形。为了提供相同的电流和输出功率,单相电流纹波明显大于双相;因此,在相同的器件尺寸下,双相、交错式开关电容器转换器中的导通损耗要小得多。