ZHCSZE5A December 2025 – September 2026 MSPM33C321A
PRODUCTION DATA
TI 建议在 VDD 和 VSS 引脚之间连接大容量去耦电容器 (CVDD) 和小容值低 ESR 陶瓷去耦电容器 (CDEC) 的组合,并将这些电容器尽可能靠近其去耦的电源引脚放置(几毫米以内),以实现最小的环路面积。CVDD 大容量去耦电容器具有数据表规格部分给出的标准值,但可以根据 PCB 设计和应用要求,在需要时进行调整。例如,可以使用容量更大的电容器,但会影响电源轨斜升时间。
必须将 NRST 复位引脚上拉至 VDD(电源电平),器件才能解除复位状态,开始引导过程。TI 建议在大多数应用中,将外部上拉电阻 (RpuNRST) 与下拉电容 (CNRST) 连接,以确保默认 NRST 状态为逻辑高电平(不会触发 MCU 复位),同时允许 NRST 引脚由其他器件或调试探针控制。
VCORE 引脚需要连接一个储能电容器 (CVCORE) 来支持为 MCU 中的数字逻辑电源轨供电的 VCORE LDO,并且该电容器必须靠近器件放置,与器件接地保持最短距离。该 VCORE 引脚不用作外部电路的通用 LDO。