ZHCSZ90 November   2025 LM51251A-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  器件配置（CFG 引脚）
      2. 6.3.2  器件和相位启用/禁用（UVLO/EN、EN2）
      3. 6.3.3  双器件运行
      4. 6.3.4  开关频率和同步 (SYNCIN)
      5. 6.3.5  双随机展频 (DRSS)
      6. 6.3.6  运行模式（BYPASS、DEM、FPWM）
      7. 6.3.7  VCC 稳压器，BIAS（BIAS 引脚、VCC 引脚）
      8. 6.3.8  软启动（SS 引脚）
      9. 6.3.9  VOUT 编程（VOUT、ATRK、DTRK）
      10. 6.3.10 保护功能
        1. 6.3.10.1 VOUT 过压保护 (OVP)
        2. 6.3.10.2 热关断 (TSD)
      11. 6.3.11 故障指示器（nFAULT 引脚）
      12. 6.3.12 斜率补偿（CSP1、CSP2、CSN1、CSN2）
      13. 6.3.13 电流检测设置和开关峰值电流限制（CSP1、CSP2、CSN1、CSN2）
      14. 6.3.14 输入电流限制和监测（ILIM、IMON、DLY）
      15. 6.3.15 最大占空比和最小可控导通时间限制
      16. 6.3.16 信号抗尖峰脉冲概述
      17. 6.3.17 MOSFET 驱动器、集成式自举二极管和断续模式故障保护（LOx、HOx、HBx 引脚）
      18. 6.3.18 I2C 特性
        1. 6.3.18.1 寄存器 VOUT (0x0)
        2. 6.3.18.2 寄存器配置 1 (0x1)
        3. 6.3.18.3 寄存器配置 2 (0x2)
        4. 6.3.18.4 寄存器配置 3 (0x3)
        5. 6.3.18.5 寄存器运行状态 (0x4)
        6. 6.3.18.6 寄存器状态字节 (0x5)
        7. 6.3.18.7 寄存器清除故障 (0x6)
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 关断状态
    5. 6.5 编程
      1. 6.5.1 I2C 总线运行
  8. 7 LM51251A-Q1 寄存器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 反馈补偿
      2. 8.1.2 非同步应用
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1  确定相位总数
        2. 8.2.2.2  确定占空比
        3. 8.2.2.3  定时电阻器 RT
        4. 8.2.2.4  电感器选型 Lm
        5. 8.2.2.5  电流检测电阻器 (RCS)
        6. 8.2.2.6  电流检测滤波器 RCSFP、RCSFN、CCS
        7. 8.2.2.7  低侧电源开关 QL
        8. 8.2.2.8  高侧电源开关 QH
        9. 8.2.2.9  缓冲组件
        10. 8.2.2.10 Vout 编程
        11. 8.2.2.11 输入电流限制 (ILIM/IMON)
        12. 8.2.2.12 UVLO 分压器
        13. 8.2.2.13 软启动
        14. 8.2.2.14 CFG 设置
        15. 8.2.2.15 输出电容器 Cout
        16. 8.2.2.16 输入电容器 Cin
        17. 8.2.2.17 自举电容器
        18. 8.2.2.18 VCC 电容器 CVCC
        19. 8.2.2.19 BIAS 电容器
        20. 8.2.2.20 VOUT 电容器
        21. 8.2.2.21 环路补偿
      3. 8.2.3 应用曲线
        1. 8.2.3.1 效率
        2. 8.2.3.2 稳态波形
        3. 8.2.3.3 阶跃负载响应
        4. 8.2.3.4 同步操作
        5. 8.2.3.5 交流环路响应曲线
        6. 8.2.3.6 热性能
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

6.3.2 器件和相位启用/禁用（UVLO/EN、EN2）

在关断期间，UVLO/EN 引脚被内部电阻器 REN 拉低。当 VUVLO/EN 上升至高于 VEN-RISING 时，REN 被禁用并且 IUVLO/EN（通常为 10μA）电流源会被启用，以提供 UVLO 功能。此时器件启动，读取配置，然后进入 STANDBY 状态（请参阅 功能状态图）。当器件达到待机状态时，I2C 接口会激活。当 VUVLO/EN 上升至高于 VUVLO-RISING 时，IUVLO/EN 电流源会被禁用，并且器件将进入启动阶段 1 和 2 状态，在 DEM 运行模式下执行软启动斜升 VOUT。实现了迟滞 VEN-HYS 和 VUVLO-HYS。根据 方程式 1 和 方程式 2 选择外部 UVLO 电阻分压器（RUVLOT 和 RUVLOB）。

方程式 1. RUVLOT= (VON-VUVLO-RISINGVUVLO-FALLING×VOFF)IUVLO-HYS
方程式 2. RUVLOB= VUVLO-FALLING×RUVLOTVOFF-VUVLO-FALLING

可通过 I2C 编程覆盖 UVLO/EN 引脚。UVLO 位选择是否使用 UVLO/EN 引脚电压进入启动阶段 1 和 2 状态并且器件开始执行开关操作，或者在 UVLO 设置为“1”时，器件是否进入启动阶段 1 和 2 状态。

需要 UVLO 电容器 (CUVLO)，以防在启动期间或在低 VI 下，Vi 瞬间降至 VOFF 以下。如果所需的 UVLO 电容器较大，则可以使用额外的串联 UVLO 电阻 (RUVLOS)，以便在 IUVLO-HYS 禁用时快速升高 UVLO 引脚的电压。

当 VEN2 上升到高于 VEN2_H 时，启用第二个相位；当 VEN2下降到低于 VEN2_L 时，禁用第二个相位。也可以通过 I2C 将 EN2 位设置为“1”，来启用第二个相位。在启动时或启动前以及运行期间，启用和禁用第 2 个相位。第二个相位相对于相位 1 存在 180° 相移，以实现超低的输入和输出纹波。

由于 UVLO/EN 引脚和 BIAS 引脚之间的 ESD 二极管导通，因此 UVLO/EN 引脚电压不得超过 BIAS 引脚电压 +0.3V（请参阅绝对最大额定值）。但是，当通过一个串联电阻器将电流限制为最大 100μA 时，可以在 UVLO/EN 引脚上施加一个更高的电压，最高可达 42V（建议运行条件）。

LM51251A-Q1 功能方框图 UVLO 和 EN图 6-2 功能方框图 UVLO 和 EN
LM51251A-Q1 双相运行图 6-3 双相运行