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ZHCSZ39A September 2025 – December 2025 DRV81646

PRODUCTION DATA

负载的电阻会影响通道在触发热关断之前在线性区域中运行的时间。电阻的功能与线性压降稳压器 (LDO) 类似，其中较高的压降需要器件消耗更多功率。

例如，以一个 24V 系统为例，5Ω 负载与 11Ω 负载的 I_LIM 设置为 1A。在不限制电流的情况下，这些电流分别消耗 4.8A 和 2.2A，但使用 I_LIM 功能时，这些电流调节至 1A。使用方程式 3 计算 FET 的线性区域电阻，以实现此 1A 电流限制：

方程式 3.

I = \frac{V}{R}

方程式 4.

I_{L I M} = \frac{V_{V M}}{[R_{L O A D} + R_{D S (O N)}]}

重新排列方程式 4 以求解 R_DS(ON)，然后插入加载 5Ω 和 11Ω 的系统值：

方程式 5.

R_{D S (O N)} = [\frac{V_{V M}}{I_{L I M}}] - R_{L O A D}

方程式 6.

R_{D S (O N)_5 Ω} = (\frac{24 V}{1 A}) - 5 Ω \to R_{D S (O N)_5 Ω} = 19 Ω

方程式 7.

R_{D S (O N)_11 Ω} = (\frac{24 V}{1 A}) - 11 Ω \to R_{D S (O N)_11 Ω} = 13 Ω

使用此电阻可计算 DRV81646 FET 内部耗散的功率：

方程式 8.

P_{F E T_5 Ω} = I^{2} \times R = {1 A}^{2} \times 19 Ω = 19 W

方程式 9.

P_{F E T_11 Ω} = I^{2} \times R = {1 A}^{2} \times 13 Ω = 13 W

如方程式 8 和方程式 9 中所示，即使两个负载都限制为 1A，DRV81646 的 5Ω 负载功耗也必须高于 11Ω 负载。此功率耗散与 FET 随时间推移的温升直接相关。耗散的功率越大，通道的热关断速度就越快。