ZHCSXP9A March 2020 – January 2025 BQ24800
PRODUCTION DATA
当转换器在正向降压充电模式下运行时,CIN 提供输入电容。它应具有足够的纹波电流等级以吸收输入开关纹波电流。当占空比为 0.5 时,最坏情况下的 RMS 纹波电流是充电电流的一半。如果转换器不以 50% 的占空比运行,则最坏情况下的电容器 RMS 电流发生在占空比最接近 50% 的位置,可通过方程式 6 估算得出:

X7R 或 X5R 等低 ESR 陶瓷电容器是输入去耦电容器的首选,应尽可能靠近高侧开关 MOSFET (HIFET) 的漏极放置。电容器的额定电压必须高于正常输入电压电平。在 19V-20V 输入电压下,最好使用额定电压为 25V 或更高的电容器。对于 3-4A 充电电流,建议使用 10-20μF 的典型电容。
陶瓷电容器表现出直流偏置效应。在陶瓷电容器上施加直流偏置电压时,这种效应可减小有效电容,就像是在充电器的输入电容器上一样。这种影响可能会导致显著的电容压降,尤其是对于高输入电压和小型电容器封装。请参阅制造商的数据表,了解施加直流偏置电压时的降额性能。为了在运行点获得所需的值,也许有必要选择一个更高的额定电压或者标称电容值。