ZHCSXP9 数据表 | 德州仪器 TI.com.cn

ZHCSXP9A March 2020 – January 2025 BQ24800

PRODUCTION DATA

5.5 电气特性

V_{VBUS_UVLOZ} < V_VBUS < V_{VBUS_OV} 且 V_VBUS > V_BAT + V_SLEEP，T_J = -40°C 至 +125°C，典型值在 T_J = 25°C 下测得（除非另有说明）

参数		测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
静态电流
I_{Q_BAT}	仅电池模式下的电流 (T_J=0-85C)，（SRP、SRN、BATSRC、PHASE、VCC、ACP、ACN）	V_BAT = 16.8V，VCC 与电池断开连接，REG0x12[15]=1			5	µA
		V_BAT = 16.8V，VCC 连接到电池，REG0x12[15]=1		25	44	µA
		V_BAT = 16.8V，VCC 连接到电池，BATFET 导通，REG0x12[15]=0，REGN 导通，比较器和 /PROCHOT 已启用，PMON 和升压模式已禁用		700	800	µA
		V_BAT = 16.8V，VCC 连接到电池，BATFET 导通，REG0x12[15]=0，REGN 导通，比较器、/PROCHOT 和 PMON 已启用，升压模式已禁用		1100	1200	µA
		V_BAT = 13.5V，VCC 连接到电池，BATFET 导通，REG0x12[15]=0，REGN 导通，比较器、/PROCHOT、PMON 和升压模式已启用，但不进行开关操作。		1.8		mA
I_{Q_VBUS}	静态输入电流 (VBUS)	V_{VCC_ULVO}<V_VCC<V_ACOVP，V_ACDET> 2.4V，充电已禁用		0.65	0.80	mA
		V_{VCC_ULVO}<V_VCC<V_ACOVP，V_ACDET >2.4V，充电已启用，无开关		1.60	3.00	mA
		V_{VCC_ULVO}<V_VCC<V_ACOVP, V_ACDET >2.4V，充电已启用，开关，MOSFET Qg 4nC		10		mA
REGN LDO
V_{REGN_REG}	REGN 稳压器电压	V_VCC =10V，V_ACDET>V_{wakeup_RISE}	5.7	6.0	6.3	V
I_{REGN_LIM}	REGN 电流限值	V_REGN = 0V，V_VCC > V_UVLO，处于充电模式下	80	100		mA
I_{REGN_LIM}	REGN 电流限值	V_REGN = 0V，V_VCC > V_UVLO，未处于充电模式下	13			mA
V_{REGN_DROPOUT}	REGN 输出压降	V_VCC = 5V，I_LOAD=20mA	4.4	4.6	4.75	V
I_{REGN_TSHUT}	热关断时的 REGN 输出	V_REGN=5V	13	23		mA
C_REGN	REGN 输出电容器	I_LOAD = 100uA 至 50mA		2		µF
VCC / VBAT 电源
V_{VBUS_OP}	VBUS 工作范围		4.5		24	V
V_{VCC_UVLOZ_RISE}	输入欠压上升阈值	V_VCC 上升	2.4	2.6	2.8	V
V_{VCC_UVLOZ_FALL}	输入欠压下降阈值	V_VCC 下降	2.2	2.4	2.6	V
V_{VCC_UVLOZ_HYS}	输入欠压下降迟滞	V_VCC 下降		200		mV
V_{SLEEP_FALL}	关断 ACFET 的睡眠下降阈值	VCC 斜降至 SRN	-40	25	100	mV
V_{SLEEP_RISE}	导通 ACFET 的睡眠上升阈值	VCC 斜升至 SRN 以上	280	400	520	mV
V_{WAKEUP_RISE}	唤醒检测上升阈值	V_VCC>V_{VCC_UVLOZ}，ACDET 斜升		0.57	0.80	V
V_{WAKEUP_FALL}	唤醒检测下降阈值	V_VCC>V_{VCC_UVLOZ}，ACDET 斜降	0.3	0.51		V
V_{ACOK_RISE}	ACOK 上升阈值	V_VCC>V_{VCC_UVLOZ}，ACDET 斜升	2.375	2.4	2.43	V
V_{ACOK_FALL}	ACOK 下降阈值	V_VCC>V_{VCC_UVLOZ}，ACDET 斜降	2.3	2.345	2.40	V
V_{ACOV_RISE}	VCC 过压上升阈值	VCC 斜升	24	26	28	V
V_{ACOV_FALL}	VCC 过压下降阈值	VCC 斜降	22	25	27	V
V_{ACNSRN_FALL}	导通 BATFET 所需的 ACN 至 BAT 下降阈值	ACN 斜降至 SRN	120	200	280	mV
V_{ACNSRN_RISE}	关断 BATFET 所需的 ACN 至 BAT 上升阈值	ACN 斜升至 SRN 以上	220	290	360	mV
V_{BATDEPL_FALL}	电池电量耗尽下降阈值，以电压调节限值的百分比表示。退出升压模式和学习模式。	REG0x3B[15:14]=00	56	60	64	%
		REG0x3B[15:14]=01	60	65	68	%
		REG0x3B[15:14]=10	64	68	72	%
		REG0x3B[15:14]=11	68	72	78	%
V_{BATDEPL_RISE}	电池电量耗尽上升迟滞	REG0x3B[15:14]=00	285	370	500	mV
		REG0x3B[15:14]=01	300	390	530	mV
		REG0x3B[15:14]=10	320	420	565	mV
		REG0x3B[15:14]=11	340	445	600	mV
V_{BATLOWV_FALL}	电池 LOWV 下降阈值	SRN 斜降	2.3	2.5	2.8	V
V_{BATLOWV_RISE}	电池 LOWV 上升阈值	SRN 斜升		2.7		V
I_BATLOWV	电池 LOWV 充电电流限制	R_SR = 10mΩ		500		mA
ACFET/RBFET 和 BATFET 驱动器
I_ACFET	ACDRV 电荷泵电流限制	V_ACDRV-V_CMSRC=5V	40	60		µA
V_{DRV_ACFET}	ACFET 上的栅极驱动电压	当 V_VCC>V_UVLO 时，V_ACDRV-V_CMSRC	5.5	6.1	6.8	V
R_{ACDRV_OFF}	ACDRV 关断电阻		5.0	6.2	7.4	kΩ
R_{ACDRV_GS}	栅极和源极之间的最小负载		500			kΩ
I_BATFET	BATDRV 电荷泵电流限制	V_BATDRV-V_BATSRC=5V	40	60		µA
V_{DRV_BATFET}	BATFET 上的栅极驱动电压	当 V_SRN>V_{BAT_UVLO} 时，V_BATDRV-V_BATSRC	5.5	6.1	6.8	V
R_{BATDRV_OFF}	BATDRV 关断电阻		5	6.2	7.4	kΩ
R_{BATDRV_LOAD}	栅极和源极之间的最小负载		500			kΩ
电池充电器
V_{REG_RANGE}	典型充电电压调节范围		1.024		19.2	V
V_{REG_STEP}	典型充电电压步长			16		mV
V_{REG_ACC}	充电电压精度	ChargeVoltage() = 0x41A0		16.800		V
		-10C-85C	-0.4		0.4	%
		-40C-125C	-0.5		0.5	%
		ChargeVoltage() = 0x3130		12.592		V
		-10C-85C	-0.4		0.4	%
		-40C-125C	-0.5		0.5	%
		ChargeVoltage() = 0x20D0		8.400		V
		-10C-85C	-0.4		0.4	%
		-40C-125C	-0.6		0.6	%
		ChargeVoltage() = 0x1060		4.192		V
		-10C-85C	-0.5		0.8	%
		-40C-125C	-0.7		0.8	%
I_{CHG_RANGE}	典型充电电流调节范围	R_SR = 10mΩ	0		8128	mA
I_{CHG_STEP}	典型充电电流调节步长	R_SR = 10mΩ		64		mA
I_{CHG_ACC}	充电电流调节精度（SRN>2V，R_SR = 10mΩ）	ChargeCurrent() = 0x1000		4096		mA
		ChargeCurrent() = 0x1000	-2		2	%
		ChargeCurrent() = 0x0800		2048		mA
		ChargeCurrent() = 0x0800	-3		3	%
		ChargeCurrent() = 0x0400		1024		mA
		ChargeCurrent() = 0x0400	-5		5	%
		ChargeCurrent() = 0x0200		512		mA
		ChargeCurrent() = 0x0200	-10		10	%
		ChargeCurrent() = 0x0100		256		mA
		ChargeVoltage() = 0x20D0、0x3031、0x41A0	-16		16	%
		ChargeVoltage() = 0x1060	-20		20	%
		ChargeCurrent() = 0x00C0		192		mA
		ChargeCurrent() = 0x00C0	-20		20	%
		ChargeCurrent() = 0x0080		128		mA
		ChargeCurrent() = 0x0080	-30		30	%
I_{LEAK_SRP-SRN}	SRP 和 SRN 漏电流不匹配		-8		8	µA
输入电流调节
I_{LIM1_RANGE}	典型输入电流调节范围	R_AC = 10mΩ	0		8064	mA
I_{LIM1_STEP}	典型输入电流调节步长	R_AC = 10mΩ		64		mA
I_{LIM1_ACC}	输入电流调节精度 (0-85℃)	R_AC = 10mΩ，InputCurrent() = 0x1000		4096		mA
		R_AC = 10mΩ，InputCurrent() = 0x1000	-2		2	%
		R_AC = 10mΩ，InputCurrent() = 0x0800		2048		mA
		R_AC = 10mΩ，InputCurrent() = 0x0800	-3		3	%
		R_AC = 10mΩ，InputCurrent() = 0x0400		1024		mA
		R_AC = 10mΩ，InputCurrent() = 0x0400	-5		5	%
I_{LEAK_ACP-ACN}	ACP 和 ACN 漏电流不匹配		-5		5	µA
峰值功率模式
T_OVLD	峰值功率过载期	REG0x38[15:14]= 00	0.59		1.00	mS
		REG0x38[15:14]= 01	1.3		2.0	mS
		REG0x38[15:14]= 10	3.1		5.0	mS
		REG0x38[15:14]= 11	7.0		10.1	mS
T_MAX	峰值下电上电周期	REG0x38[9:8]= 00	17.0	20	23.4	mS
		REG0x38[9:8]= 01	34	40	46	mS
		REG0x38[9:8]= 10	68	80	92	mS
		REG0x38[9:8]= 11	935	1100	1265	mS
I_{LIM2_ACC}	峰值电流限制精度	InputCurrent() = 0x1000，REG0x3C[14:11]=1001		6144		mA
		InputCurrent() = 0x1000，REG0x3C[14:11]=1001	97		101	%
		InputCurrent() = 0x0800，REG0x3C[14:11]=1001		3072		mA
		InputCurrent() = 0x0800，REG0x3C[14:11]=1001	96		102	%
		InputCurrent() = 0x0400，REG0x3C[14:11]=1001		1536		mA
		InputCurrent() = 0x0400，REG0x3C[14:11]=1001	99		109	%
		InputCurrent() = 0x0200，REG0x3C[14:11]=1001		768		mA
		InputCurrent() = 0x0200，REG0x3C[14:11]=1001	100	107	114	%
电池放电电流调节（混合动力升压模式）
V_{IDCHG_RNG}	放电电流调节范围	R_SR = 10mΩ	0		32256	mA
I_{IDCHG_STEP}	放电电流调节步长	R_SR = 10mΩ		512		mA
I_{DCHG_ACC}	放电电流调节精度	DischargeCurrent() = 0x2000		8192		mA
		DischargeCurrent() = 0x2000	-2		2	%
		DischargeCurrent() = 0x1000		4096		mA
		DischargeCurrent() = 0x1000	-3		3	%
		DischargeCurrent() = 0x0800		2048		mA
		DischargeCurrent() = 0x0800	-5		5	%
		DischargeCurrent() = 0x0400		1024		mA
		DischargeCurrent() = 0x0400	-8		8	%
		DischargeCurrent() = 0x0200		512		mA
		DischargeCurrent() = 0x0200	-10		10	%
仅电池升压模式
V_{SYSMIN_RNG}	最小系统电压范围（系统电压调节高出 1.5 或 2.3V）		5.632		13.568	V
V_{SYSMIN_STEP}	典型系统电压调节步长			256		mV
V_{SYSMIN_ACC}	系统电压调节精度	VSYSMIN() = 0x2600		9.728		V
		VSYSMIN() = 0x2600	-2.2		2.8	%
		VSYSMIN() = 0x1980		6.656		V
		VSYSMIN() = 0x1980	-2.2		2.8	%
V_{SYSMIN_ENTER}	进入电池升压模式的系统电压下降阈值	占 VSYSMIN 的百分比		100		%
电流检测放大器
V_IADP	IADP 输出电压范围		0		3.3	V
I_IADP	IADP 输出电流				1	mA
A_IADP	IADP 检测放大器增益	V_IADP / (V_ACP- V_ACN)，REG0x12[4]=0		20		V/V
V_{IADP_ACC}	电流检测放大器增益精度	V_ACP-V_ACN = 40mV	-2		2	%
		V_ACP-V_ACN = 20mV	-4		4	%
		V_ACP-V_ACN = 10mV	-7		7	%
		V_ACP-V_ACN = 5mV	-20		20	%
		V_ACP-V_ACN = 2.5mV	-30		30	%
		V_ACP-V_ACN = 1.5mV	-40		40	%
V_{IADP_CLAMP}	IADP 钳位电压		3		3.3	V
C_IADP	IADP 输出负载电容	负载为 0-1mA			100	pF
V_IDCHG	IDCHG 输出电压范围		0		3.3	V
I_IDCHG	IDCHG 输出电流		0		1	mA
A_IDCHG	电流检测放大器增益	V_IDCHG / (V_SRN-V_SRP)，REG0x12[3]=1		20		V/V
V_{IDCHG_ACC}	电流检测输出精度	V_SRN-V_SRP = 40mV	-5		5	%
		V_SRN-V_SRP = 20mV	-9		9	%
		V_SRN-V_SRP = 10mV	-17		17	%
		V_SRN-V_SRP = 5mV	-34		34	%
V_{IDCHG_CLAMP}	IDCHG 钳位电压		3		3.3	V
C_IDCHG	IDCHG 输出负载电容	负载为 0-1mA			100	pF
V_PMON	PMON 输出电压范围		0		3.3	V
I_PMON	PMON 输出电流		0		100	µA
A_PMON	PMON 系统增益	I_PMON / (P_IN+ P_BAT)，REG0x3B[9]=1		1		µA/W
V_{PMON_ACC}	PMON 增益精度 (REG0x3B[9]=1)	仅适配器，系统电源 = 19.5V/45W	-4		4	%
		仅适配器，系统电源 = 12V/24W	-6		6	%
		仅适配器，系统电源 = 5V/9W	-10		10	%
		仅电池，系统电源为 11V/44W	-4.5		4.5	%
		仅电池，系统电源为 7.4V/29.8W	-7		7	%
		仅电池，系统电源为 3.7V/14.4W	-10		10	%
V_{PMON_CLAMP}	PMON 钳位电压		3		3.3	V
输入过流保护
V_ACOC	上升阈值，基准为ILIM2 电流限制	REG0x37[9]=1	190	200	215	%
V_{ACOC_CLAMP}	ACOC 阈值钳位低值	V_ACP-V_ACN	50			mV
V_{ACOC_CLAMP}	ACOC 阈值钳位高值	V_ACP-V_ACN			190	mV
电池过压保护
V_{BAT_OVP}	过压上升阈值，以 V_{BAT_REG} 的百分比表示	SRN 斜升	103	104	105	%
V_{BAT_OVP}	过压下降阈值，以 V_{BAT_REG} 的百分比表示	SRN 斜降	101	102	103	%
I_{BAT_OVP}	SRP 上的放电电阻器	V_SRN>6V		6		mA
I_{BAT_OVP}	SRP 上的放电电阻器	V_SRN=4.5V		2		mA
转换器保护
V_{OCP_LIMIT}	逐周期过流限制，SRP 和 SRN 之间的测量电压。	ChargeCurrent()=0x0xxxH	54	60	66	mV
		ChargeCurrent()=0x1000H-0x17C0H	80	90	100	mV
		ChargeCurrent()=0x1800H-0x1FC0H	110	120	130	mV
V_{UCP_FALL}	逐周期欠流下降阈值	SRP 斜降至 SRN	1.0	5	9.00	mV
V_{LL_FALL_BUCK}	降压模式下的轻负载下降阈值	SRP 斜降至 SRN		1.25		mV
V_{LL_RISE_BUCK}	降压模式下的轻负载上升阈值	SRP 斜升至 SRN 以上		2.5		mV
V_{LL_FALL_BOOST}	升压模式下的轻负载下降阈值	SRN 斜降至 SRP		2.5		mV
V_{LL_RISE_BOOST}	升压模式下的轻负载上升阈值	SRN 斜升至 SRP 以上		5.0		mV
电感器短路，MOSFET 短路保护
V_{IFAULT_HI_RISE}	ACN 至 PH 上升阈值	REG0x37[7] = 0	450	750	1200	mV
V_{IFAULT_LO_RISE}	PH 至 GND 上升阈值	REG0x37[6] = 1	180	250	340	mV
开关转换器
F_SW	PWM 开关频率	REG0x12[9:8] = 00	510	600	690	KHz
		REG0x12[9:8] = 01	680	800	920	KHz
		REG0x12[9:8] = 10	255	300	345	KHz
		REG0x12[9:8] = 11	340	400	460	KHz
R_{DS_HI_ON}	高侧驱动器 (HSD) 导通电阻	V_BTST – V_PH = 5.5V		6	10	Ω
R_{DS_HI_OFF}	高侧驱动器关断电阻	V_BTST – V_PH = 5.5V		0.9	1.4	Ω
V_{BTST_REFRESH}	自举刷新比较器阈值	请求 LSFET 刷新脉冲时 V_BTST - V_PH，VBUS = 5V	3.85	4.3	4.7	V
R_{DS_LO_ON}	低侧驱动器 (LSD) 导通电阻			7.5	12	Ω
R_{DS_LO_OFF}	低侧驱动器关断电阻			0.75	1.25	Ω
I_STEP	软启动步长			64		mA
t_STEP	软启动步长时间			400		us
热关断
T_{SHUT_RISE}	热关断上升阈值	温度升高		155		°C
T_{SHUT_FALL}	热关断下降阈值	温度降低		135		°C
PROCHOT 比较器
V_ICRIT	ICRIT 比较器阈值	REG0x3C[14:11]=1001，以输入电流限制 4096mA 的百分比表示	162	165	168	%
V_INOM	INOM 比较器阈值	以输入电流限制 4096mA 的百分比表示，0x3F()=0x1000，0x3C [0] = 0	107	110	112	%
V_INOM	INOM 比较器阈值	以输入电流限制 4096mA 的百分比表示，0x3F()=0x1000，0x3C [0] = 1	104	106	108	%
V_IDCHG	IDCHG 比较器阈值	REG0x3D[15:11]=10000，以 SRN 和 SRP 之间的电压表示	160	163.84	167	mV
V_IDCHG	IDCHG 比较器阈值	REG0x3D[15:11]=00100，以 SRN 和 SRP 之间的电压表示	38	40.96	44	mV
V_VBATT	VBATT 比较器阈值	REG0x3C[7:6]=00	5.71	5.75	5.95	V
		REG0x3C[7:6]=01	5.88	6.00	6.12	V
		REG0x3C[7:6]=10	6.22	6.25	6.46	V
		REG0x3C[7:6]=11	6.48	6.50	6.72	V
其他比较器
V_{CMP_OS}	独立比较器输入偏移		-4		4	mV
V_{CMP_CM}	独立比较器输入共模		0		6.5	V
V_{CMP_REF}	独立比较器基准电压（CMPIN 下降）	REG0x3B[7]=0	2.28	2.3	2.32	V
V_{CMP_REF}	独立比较器基准电压（CMPIN 下降）	REG0x3B[7]=1	1.18	1.2	1.22	V
V_{CMP_RISE_HYST}	独立比较器基准迟滞	REG0x3B[6]=0		100		mV
V_{ILIM_FALL}	ILIM 作为转换器启用下降阈值	V_ILIM 下降	60	75	90	mV
V_{ILIM_RISE}	ILIM 作为转换器启用上升阈值	V_ILIM 上升	90	105	120	mV
模拟和数字 I/O
I_{AIN_ LEAK}	输入偏置电流	V = 7V	-1		1	µA
V_{IN_ LO}	输入高阈值（SDA、SCL）	SDA 和 SCL 引脚			0.8	V
V_{IN_ HI}	输入低阈值（SDA、SCL）	SDA 和 SCL 引脚	2.1			V
I_{DIN_ LEAK}	输入偏置电流（SDA、SCL）	V = 7V，SDA 和 SCL 引脚	-1		1	µA
V_{OUT_LO}	输出饱和电压（ACOK、SDA、CMPOUT、/BST_STAT）	5mA 漏极电流			500	mV
I_{OUT_LEAK}	漏电流（ACOK、SDA、CMPOUT、/BST_STAT）	V = 7V	-1		1	uA
V_{OUT_LO_PH}	输出饱和电压 (/PROCHOT)	17mA 漏极电流			300	mV
I_{OUT_LEAK_PH}	漏电流 (/PROCHOT)	V = 5.5V	-1		1	uA