通过执行所述的类似设计过程，外部元件计算值如下：

• R_SNS = 0.5mΩ
• R_SET = 300Ω
• R_IMON = 18.2kΩ
• R_IOC = 23kΩ，用于将 40A 设置为 I²t 保护启动阈值
• C_I2t = 1µF，用于将 3000A²s 设置为 I²t 因数
• C_BST = 220nF
• R_ISCP = 2.55kΩ，用于将 130A 设置为短路保护阈值
• C_TMR = 47nF，用于设置 1000ms 自动重试时间
• 分别选择 470kΩ 和 24.9kΩ 作为 R3 和 R4，以便将 VIN 欠压锁定阈值设置为 24V

负载唤醒阈值编程，R_BYPASS 和 Q₃ 选择

在正常运行期间，串联电阻 R_BYPASS 用于设置负载唤醒电流阈值。在达到 V_{G_GOOD} 阈值后，比较 DRN 和 CS2– 之间的电压与负载唤醒事件的 V_(LWU) 阈值（典型值 200mV）。选择 MOSFET Q3 时，重要的电气参数为最大持续漏极电流 I_D、最大漏源电压 V_DS(MAX)、最大栅源电压 V_GS(MAX) 以及漏源导通电阻 R_DSON。

根据设计要求，选择的是 IAUS200N08S5N023，其电压等级为：

• 80V V_DS(MAX) 和 ±20V V_GS(MAX)

• 在 10V VGS 下，R_DS(ON) 的典型值为 2.3mΩ

可以使用以下公式选择 R_BYPASS 电阻值：

若要设置 200mA 负载唤醒电流，则 R_BYPASS 电阻计算结果为 1Ω。

可通过以下公式计算旁路电阻器的平均额定功率：

R_BYPASS 平均功率耗散计算结果为 0.04W。

以下公式可计算旁路电阻器中的峰值功率耗散：

R_BYPASS 的峰值功率耗散计算结果为约 3600W。短路进入 LPM 时上电的峰值功率耗散时间可以通过电气特性表中的 t_{(LPM_SC)} 参数 (5μs) 推导出来。

根据 P_PEAK 和 t_{(LPM_SC)}，应并联两个 2Ω、1%、1.5W CRCW25122R00JNEGHP 电阻，从而实现平均功率耗散和峰值功率耗散持续 t_{(LPM_SC)} 以上。TI 建议设计人员与电阻制造商分享旁路电阻器的整个功率耗散曲线并获取他们的建议。

可根据以下公式计算旁路路径中的峰值短路电流：

根据方程式 36 中选择的 R_BYPASS，计算出 I_{PEAK_BYPASS} 为 60A。TI 建议设计人员确保旁路路径 (Q3) 的工作点（V_{BATT_MAX}、I_{PEAK_BYPASS}）处于 SOA 曲线内的时间大于 t_{(LPM_SC)}。

浪涌电流编程，R_g 和 C_g 选择

请使用以下公式来计算 I_INRUSH：

在方程式 40 中计算的 I_INRUSH 应该始终小于低功耗模式下的短路唤醒电流 (I_{LPM_SC})，后者可使用以下公式计算：

对于 1Ω R_BYPASS，I_{LPM_SC} 计算结果为 2A，该值小于 I_INRUSH。

使用以下公式，可根据方程式 40 中计算出的 I_INRUSH 计算所需的 C_g。

其中，I_(G) 为 100µA（典型值）

若要将 I_INRUSH 设置为 1.5A，则 C_g 值计算结果为约 50nF。

串联电阻 R_g 必须与 Cg 一起用于限制关断期间来自 Cg 的放电电流。

选择的 R_g 值为 100Ω，C_g 为 68nF。