ZHCSXO3 December 2024 TPS4812-Q1
PRODUCTION DATA
CI2t 可对过流保护延迟 (tOC_MIN) 进行编程,而 CTMR 可对自动重试时间 (tRETRY) 进行编程。一旦 CS1+ 和 CS1– 之间的电压超过设定点 (V(OCP)),CI2t 电容器即开始充电,充电电流与 ILOAD2 – IOC2 电流成比例。
在 CI2t 充电至 V(I2t_OC) 后,GATE 将拉低至 SRC,同时关断主 FET 且 FLT 置为低电平有效。发布此事件后,自动重试行为将开始。CTMR 开始以 2.5µA 上拉电流充电,直到电压达到 V(TMR_HIGH) 水平为止。达到此水平之后,电容器开始以 2.5µA 下拉电流放电。
在电压达到 V(TMR_LOW) 水平后,电容器再次以 2.5µA 上拉电流开始充电。经过 CTMR 的 32 个充放电周期后,FET 重新导通,FLT 在置为无效延迟后置为无效。
自动重试时间可以根据方程式 13,通过将连接在 TMR 和 GND 引脚之间的 CTMR 电容器进行设置。
其中
V(TMR_HIGH) 为 1.2V(典型值),V(TMR_LOW) 为 0.2V(典型值)。
I(TMR_SRC) 是 TMR 引脚上的内部拉电流,典型值为 2.5µA。