ZHCSXO3 December   2024 TPS4812-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 开关特性
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 电荷泵和栅极驱动器输出（VS、GATE、BST、SRC）
      2. 8.3.2 容性负载驱动
        1. 8.3.2.1 使用低功耗旁路 FET（G 驱动器）为负载电容器充电
        2. 8.3.2.2 使用主 FET（GATE 驱动）栅极压摆率控制
      3. 8.3.3 过流和短路保护
        1. 8.3.3.1 I2t 过流保护
          1. 8.3.3.1.1 具有自动重试功能的 I2t 过流保护
          2. 8.3.3.1.2 采用闭锁配置的 I2t 过流保护
        2. 8.3.3.2 短路保护
      4. 8.3.4 模拟电流监测器输出 (IMON)
      5. 8.3.5 基于 NTC 的温度检测 (TMP) 和模拟监测器输出 (ITMPO)
      6. 8.3.6 故障指示和诊断 (FLT)
      7. 8.3.7 反极性保护
      8. 8.3.8 欠压保护 (UVLO)
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 状态图
      2. 8.4.2 状态转换时序图
      3. 8.4.3 断电
      4. 8.4.4 关断模式
      5. 8.4.5 低功耗模式 (LPM)
      6. 8.4.6 运行模式 (AM)
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用 1：使用自动负载唤醒功能来驱动全时供电 (PAAT) 负载
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 典型应用 2：使用自动负载唤醒和输出大容量电容器充电功能来驱动全时供电 (PAAT) 负载
      1. 9.3.1 设计要求
      2. 9.3.2 外部元件选型
      3. 9.3.3 应用曲线
    4. 9.4 电源相关建议
    5. 9.5 布局
      1. 9.5.1 布局指南
      2. 9.5.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 接收文档更新通知
    2. 10.2 支持资源
    3. 10.3 商标
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

8.3.5 基于 NTC 的温度检测 (TMP) 和模拟监测器输出 (ITMPO)

TPS4812-Q1 特有一个集成温度监测放大器（在工作模式下开启且仅支持负载唤醒）。该温度监测功能通过差分放大器实现，输入引脚为 TMP，输出为 ITMPO。

模拟输出电压 VITMPO 表示通过 RNTC 检测到的温度，该温度可由微控制器直接在 ITMPO（温度监测输出）引脚上读取。

VITMPO 可以根据下列公式计算：

方程式 18. V I T M P O   =   V R E F _ T M P   +   V T M P _ O F F S E T   ×   R I T M P O R N T C   +   R T M P

其中，

VREF_TMP 为 500mV（典型值）

VTMP_OFFSET 为 ±5mV

RTMP 在 10k NTC 下为 330Ω (25°C)

RTMP 在 47k NTC 下为 1kΩ (25°C)

TPS4812-Q1 在 ITMPO 引脚上集成了比较器，用于检测外部主 FET 过热故障。当 ITMPO 上的电压超过 V(TMP_OT)（2V 典型值）阈值后，主 FET (GATE) 关断，器件进入闭锁模式，FLT 置为低电平有效。锁存器在 INP 的下降沿或 LPM 变为低电平或 EN/UVLO 低于 V(ENF) 或下电上电 VS 低于 V(VS_PORF) 时复位。

可以根据以下公式对外部 FET 过热阈值进行编程：

方程式 19. V (T M P _O T)   =   V R E F _ T M P   +   V T M P _ O F F S E T   ×   R I T M P O + R I N T R N T C   +   R T M P

其中，

RITMPO 是 ITMPO 引脚上的电阻，单位为欧姆。

V(TMP_OT) 外部 FET 的固定过热阈值，典型值为 2V。

RINT 是内部电阻，典型值为 200Ω，最小值/最大值为 90/340Ω。

RNTC 是 NTC 热敏电阻，其阻值随温度变化而变化，RTMP 是一个普通电阻，用于将热敏电阻在温度条件下的行为进行线性化，如图 8-12 所示：

TPS4812-Q1 基于 NTC 的温度检测和监测输出图 8-12 基于 NTC 的温度检测和监测输出