ZHCSXL6 December   2024 DRV8351-SEP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级 - 通信
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序图
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 三相 BLDC 栅极驱动器
        1. 7.3.1.1 栅极驱动器时序
          1. 7.3.1.1.1 传播延迟
          2. 7.3.1.1.2 死区时间和跨导保护
        2. 7.3.1.2 模式（反相和同相 INLx）
      2. 7.3.2 引脚图
      3. 7.3.3 栅极驱动器保护电路
        1. 7.3.3.1 VBSTx 欠压锁定 (BSTUV)
        2. 7.3.3.2 GVDD 欠压锁定 (GVDDUV)
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 自举电容器和 GVDD 电容器选型
      3. 8.2.3 应用曲线
  10. 9 电源相关建议
  11. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 接收文档更新通知
    2. 11.2 支持资源
    3. 11.3 商标
    4. 11.4 静电放电警告
    5. 11.5 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息

8.2.2 自举电容器和 GVDD 电容器选型

自举电容器的大小必须能够维持自举电压高于欠压锁定以实现正常运行。方程式 1 用于计算自举电容器上允许的最大压降：

方程式 1. DRV8351-SEP

=12V – 0.85V – 4.5V = 6.65V

其中

  • VGVDD 是栅极驱动器的电源电压
  • VBOOTD 是自举二极管的正向压降
  • VBSTUV 是自举欠压锁定的阈值

在本示例中，自举电容器的允许压降为 6.65V。通常情况下，建议尽量降低自举电容器和 GVDD 电容器上的纹波电压。很多商业、工业和汽车应用中采用介于 0.5V 和 1V 之间的纹波值。

每个开关周期所需的总电荷可以通过方程式 2 进行估算：

方程式 2. DRV8351-SEP

= 48nC + 220μA/20kHz = 50nC + 11nC = 59nC

其中

  • QG 是总 MOSFET 栅极电荷
  • ILBS_TRAN 是自举引脚漏电流
  • fSW 是 PWM 频率

假设 ΔVBSTx 为 1V，则最小自举电容器可通过以下公式进行估算：

方程式 3. DRV8351-SEP

= 59nC/1V = 59nF

计算出的最小自举电容值为 59nF。请注意，这是全偏置电压条件下所需的电容值。实际应用中，自举电容值必须大于计算值，才能确保在功率级可能因各种瞬态条件而发生脉冲跳跃的情况下正常使用。在本示例中，建议使用 100nF 自举电容器。此外，还建议预留足够的裕度，并将自举电容器尽可能靠近 BSTx 和 SHx 引脚放置。

方程式 4. DRV8351-SEP

= 10*100nF= 1μF

对于该示例应用，选择 1µF CGVDD 电容器。选择电压等级至少是其将承受的最大电压两倍的电容器，因为大多数陶瓷电容器在偏置时会损失大量电容。该值还可提高系统的长期可靠性。