ZHCSXL6 December   2024 DRV8351-SEP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级 - 通信
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序图
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 三相 BLDC 栅极驱动器
        1. 7.3.1.1 栅极驱动器时序
          1. 7.3.1.1.1 传播延迟
          2. 7.3.1.1.2 死区时间和跨导保护
        2. 7.3.1.2 模式（反相和同相 INLx）
      2. 7.3.2 引脚图
      3. 7.3.3 栅极驱动器保护电路
        1. 7.3.3.1 VBSTx 欠压锁定 (BSTUV)
        2. 7.3.3.2 GVDD 欠压锁定 (GVDDUV)
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 自举电容器和 GVDD 电容器选型
      3. 8.2.3 应用曲线
  10. 9 电源相关建议
  11. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 接收文档更新通知
    2. 11.2 支持资源
    3. 11.3 商标
    4. 11.4 静电放电警告
    5. 11.5 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息

1 特性

  • 40V 三相半桥栅极驱动器
    • 驱动 N 沟道 MOSFET (NMOS)
    • 栅极驱动器电源 (GVDD)：5-15V
    • MOSFET 电源 (SHx) 支持高达 40V 的电压
  • 目标辐射性能
    • SEL、SEB 和 SET 对于 LET 的抗扰度高达 43MeV-cm2/mg
    • SET 和 SEFI 的 LET 特征值高达 43MeV-cm2/mg
    • 每个晶圆批次的保障 TID 高达 30krad(Si)
    • TID 特征值高达 30krad(Si)
  • 增强型航天塑料（航天 EP）：
    • 受控基线
    • 一个封测厂
    • 一个制造厂
    • 延长的产品生命周期
    • 产品可追溯性
  • 集成自举二极管
  • 支持反相和同相 INLx 输入
  • 自举栅极驱动架构
    • 750mA 拉电流
    • 1.5A 灌电流
  • SHx 引脚具有低漏电流（小于 55µA）
  • 绝对最大 BSTx 电压高达 57.5V
  • SHx 引脚瞬态负压可达 -22V
  • 内置跨导保护
  • 固定插入 200ns 死区时间
  • 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入（绝对最大值为 20V）
  • 4ns 典型传播延迟匹配
  • 紧凑型 TSSOP 封装
  • 具有电源块的高效系统设计
  • 集成式保护功能
    • BST 欠压锁定 (BSTUV)
    • GVDD 欠压 (GVDDUV)