ZHCSXL6 December   2024 DRV8351-SEP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级 - 通信
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序图
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 三相 BLDC 栅极驱动器
        1. 7.3.1.1 栅极驱动器时序
          1. 7.3.1.1.1 传播延迟
          2. 7.3.1.1.2 死区时间和跨导保护
        2. 7.3.1.2 模式（反相和同相 INLx）
      2. 7.3.2 引脚图
      3. 7.3.3 栅极驱动器保护电路
        1. 7.3.3.1 VBSTx 欠压锁定 (BSTUV)
        2. 7.3.3.2 GVDD 欠压锁定 (GVDDUV)
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 自举电容器和 GVDD 电容器选型
      3. 8.2.3 应用曲线
  10. 9 电源相关建议
  11. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 接收文档更新通知
    2. 11.2 支持资源
    3. 11.3 商标
    4. 11.4 静电放电警告
    5. 11.5 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息

5 引脚配置和功能

DRV8351-SEP DRV8351-SEPD、DRV8351-SEPDI 封装20 引脚 TSSOP顶视图图 5-1 DRV8351-SEPD、DRV8351-SEPDI 封装20 引脚 TSSOP顶视图
表 5-1 引脚功能 - 20 引脚 DRV8351-SEP 器件
引脚 类型1 说明
名称 编号
BSTA 20 O 自举输出引脚。在 BSTA 和 SHA 之间连接一个电容器
BSTB 17 O 自举输出引脚。在 BSTB 和 SHB 之间连接一个电容器
BSTC 14 O 自举输出引脚。在 BSTC 和 SHC 之间连接一个电容器
GHA 19 O 高侧栅极驱动器输出。连接到高侧功率 MOSFET 的栅极。
GHB 16 O 高侧栅极驱动器输出。连接到高侧功率 MOSFET 的栅极。
GHC 13 O 高侧栅极驱动器输出。连接到高侧功率 MOSFET 的栅极。
GLA 11 O 低侧栅极驱动器输出。连接到低侧功率 MOSFET 的栅极。
GLB 10 O 低侧栅极驱动器输出。连接到低侧功率 MOSFET 的栅极。
GLC 9 O 低侧栅极驱动器输出。连接到低侧功率 MOSFET 的栅极。
INHA 1 I 高侧栅极驱动器控制输入。该引脚控制高侧栅极驱动器的输出。
INHB 2 I 高侧栅极驱动器控制输入。该引脚控制高侧栅极驱动器的输出。
INHC 3 I 高侧栅极驱动器控制输入。该引脚控制高侧栅极驱动器的输出。
INLA 4 I 低侧栅极驱动器控制输入。该引脚控制低侧栅极驱动器的输出。
INLB 5 I 低侧栅极驱动器控制输入。该引脚控制低侧栅极驱动器的输出。
INLC 6 I 低侧栅极驱动器控制输入。该引脚控制低侧栅极驱动器的输出。
GND 8 PWR 器件接地。
SHA 18 I 高侧源极感测输入。连接到高侧功率 MOSFET 源极。
SHB 15 I 高侧源极感测输入。连接到高侧功率 MOSFET 源极。
SHC 12 I 高侧源极感测输入。连接到高侧功率 MOSFET 源极。
GVDD 7 PWR 栅极驱动器电源输入。在 GVDD 和 GND 引脚之间连接一个 X5R 或 X7R、额定电压为 GVDD、容值大于或等于 10uF 的陶瓷局部电容器。
  1. PWR = 电源，I = 输入，O = 输出，NC = 无连接