ZHCSXL6 December   2024 DRV8351-SEP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级 - 通信
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序图
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 三相 BLDC 栅极驱动器
        1. 7.3.1.1 栅极驱动器时序
          1. 7.3.1.1.1 传播延迟
          2. 7.3.1.1.2 死区时间和跨导保护
        2. 7.3.1.2 模式（反相和同相 INLx）
      2. 7.3.2 引脚图
      3. 7.3.3 栅极驱动器保护电路
        1. 7.3.3.1 VBSTx 欠压锁定 (BSTUV)
        2. 7.3.3.2 GVDD 欠压锁定 (GVDDUV)
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 自举电容器和 GVDD 电容器选型
      3. 8.2.3 应用曲线
  10. 9 电源相关建议
  11. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 接收文档更新通知
    2. 11.2 支持资源
    3. 11.3 商标
    4. 11.4 静电放电警告
    5. 11.5 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息

10.1 布局指南

  • 应在 GVDD 和 GND 引脚之间以及 BSTx 和 SHx 引脚之间靠近器件的位置连接低 ESR/ESL 电容器，从而在外部 MOSFET 导通时支持 GVDD 和 BSTx 引脚消耗的高峰值电流。
  • 为防止顶部 MOSFET 漏极出现大的电压瞬变，必须在高侧 MOSFET 漏极和接地之间连接一个低 ESR 电解电容器和一个高质量陶瓷电容器。
  • 为避免开关节点 (SHx) 引脚上出现大的负瞬变，必须尽可能减小高侧 MOSFET 源极和低侧 MOSFET 源极之间的寄生电感。
  • 为避免出现意外的瞬变，必须更大限度地减小 GHx、SHx 和 GLx 连接的寄生电感。尽可能缩短布线长度并减少过孔数量。建议使用最小 10mil 和典型 15mil 的布线宽度。
  • 栅极驱动器应尽量靠近 MOSFET。通过缩短布线长度，将对 MOSFET 栅极进行充电和放电的高峰值电流限制在最小的物理区域内。这种限制降低了环路电感，能够有效避免 MOSFET 栅极端子上的噪声问题。
  • 请参阅应用报告中的通用布线技术以及 MOSFET 的放置和功率级布线