ZHCSXL6 December   2024 DRV8351-SEP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级 - 通信
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序图
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 三相 BLDC 栅极驱动器
        1. 7.3.1.1 栅极驱动器时序
          1. 7.3.1.1.1 传播延迟
          2. 7.3.1.1.2 死区时间和跨导保护
        2. 7.3.1.2 模式（反相和同相 INLx）
      2. 7.3.2 引脚图
      3. 7.3.3 栅极驱动器保护电路
        1. 7.3.3.1 VBSTx 欠压锁定 (BSTUV)
        2. 7.3.3.2 GVDD 欠压锁定 (GVDDUV)
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 自举电容器和 GVDD 电容器选型
      3. 8.2.3 应用曲线
  10. 9 电源相关建议
  11. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 接收文档更新通知
    2. 11.2 支持资源
    3. 11.3 商标
    4. 11.4 静电放电警告
    5. 11.5 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息

7.3.1 三相 BLDC 栅极驱动器

DRV8351-SEP 集成了三个半桥栅极驱动器，每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。GVDD 上的输入为低侧 MOSFET 提供栅极偏置电压。高电压使用自举电容器和 GVDD 电源来生成。可以组合使用多个半桥栅极驱动器来驱动三相电机，也可以单独使用这些驱动器来驱动其他类型的负载。