ZHCSXJ0 September   2024 TLV3603-EP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序图
    7. 5.7 典型特性
  7. 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 输入
      2. 6.4.2 推挽(单端)输出
      3. 6.4.3 已知启动条件
  8. 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 可调迟滞
      2. 7.1.2 容性负载
      3. 7.1.3 锁存器功能
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 实现可调迟滞
        1. 7.2.1.1 设计要求
        2. 7.2.1.2 详细设计过程
        3. 7.2.1.3 应用曲线
      2. 7.2.2 光学接收器
      3. 7.2.3 过流锁存条件
  9. 电源相关建议
  10. 布局
    1. 9.1 布局指南
    2. 9.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件支持
      1. 10.1.1 开发支持
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

电气特性

VCC = 2.5V/3.3V/5V、VEE = 0V、VCM = VEE + 300mV、CL = 5pF 探头电容、TA = 25°C 时的典型值(除非另有说明)。
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
直流输入特性 
VIO 输入失调电压 TA = -55°C 至 +125°C  -7 ±0.5 7 mV
dVIO/dT 输入失调电压温漂 ±3.0 μV/°C
VCM 输入共模电压范围 TA = -55°C 至 +125°C VEE – 0.2 VCC + 0.2 V
CIN 输入电容 1 pF
RDM 输入差分模式电阻 67 kΩ
RCM 输入共模电阻 5
IB 输入偏置电流 TA = -55°C 至 +125°C 1 5 uA
IOS 输入失调电流 ±0.03 uA
CMRR 共模抑制比 VCM = VEE – 0.2V 至 VCC + 0.2V 80 dB
PSRR 电源抑制比 VCC = 2.4V 至 5.5V 80 dB
DC 输出特性
VOH 来自 VCC 的输出高电压 ISOURCE = 1mA
TA = -55°C 至 +125°C
60 80 mV
VOL 来自 VEE 的输出低电压 ISINK = 1mA
TA = –55℃ 至 +125℃
60 80 mV
ISC_SOURCE  输出短路电流 - 拉电流 TA = -55°C 至 +125°C 10 30 mA
ISC_SINK 输出短路电流 - 灌电流 TA = -55°C 至 +125°C 10 30 mA
电源
ICC 静态电流 输出为高电平
TA = –55℃ 至 +125℃
5.7 7.8 mA
VPOR (postive) 上电复位电压 2.1 V
交流特性
tPD 传播延迟 VOVERDRIVE = VUNDERDRIVE = 50mV
TA = –55℃ 至 +125℃
2.5 4.5(1) ns
tCM_DISPERSION 常见分散 VCM 电压范围为 VEE 至 VCC   80 ps
tOD_DISPERSION 过驱分散 过驱电压范围为 10mV 至 125mV 700 ps
tUD_DISPERSION 欠驱分散 欠驱电压范围为 10mV 至 125mV 330 ps
tR 上升时间 10% 至 90% 0.75 ns
tF 下降时间 90% 至 10% 0.75 ns
tJITTER RMS 抖动 VIN = 100mVP-P
fIN = 100MHz,抖动带宽 = 10Hz – 50MHz
4 ps
fTOGGLE 输入切换频率 VIN = 200mVPP 正弦波,
当输出高电平达到 VCC - VEE 的 90% 或输出低电平达到 VCC - VEE 的 10% 时
325 MHz
脉宽 允许的最小输入脉冲宽度 VOVERDRIVE = VUNDERDRIVE = 50mV
PWOUT = PWIN 的 90%
1.5 ns
锁存/可调迟滞
VHYST 输入迟滞电压 VHYST = 逻辑高电平 0 mV
VHYST 输入迟滞电压 RHYST = 悬空 3 mV
VHYST 输入迟滞电压 RHYST = 150kΩ 30 mV
VHYST 输入迟滞电压 RHYST = 56kΩ 60 mV
VIH_LE LE 引脚输入高电平 TA = -55°C 至 +125°C VEE + 1.5 V
VIL_LE LE 引脚输入低电平 TA = -55°C 至 +125°C VEE + 0.35 V
IIH_LE LE 引脚输入漏电流 VLE = VCC
TA = –55℃ 至 +125℃
15 uA
IIL_LE LE 引脚输入漏电流 VLE = VEE
TA = –55℃ 至 +125℃
40 uA
tSETUP 锁存建立时间 -1.4 ns
tHOLD 锁存保持时间 7.2 ns
tPL 锁存至输出延迟 7 ns
由表征保证