ZHCSXJ0 September   2024 TLV3603-EP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序图
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 输入
      2. 6.4.2 推挽（单端）输出
      3. 6.4.3 已知启动条件
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 可调迟滞
      2. 7.1.2 容性负载
      3. 7.1.3 锁存器功能
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 实现可调迟滞
        1. 7.2.1.1 设计要求
        2. 7.2.1.2 详细设计过程
        3. 7.2.1.3 应用曲线
      2. 7.2.2 光学接收器
      3. 7.2.3 过流锁存条件
  9. 8 电源相关建议
  10. 9 布局
    1. 9.1 布局指南
    2. 9.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件支持
      1. 10.1.1 开发支持
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

7.2.3 过流锁存条件

当设计需要检测短暂过流情况时，可以利用 TLV3603-EP 的锁存特性。通过锁存比较器输出，MCU 不会遗漏任何过流事件。下面的电路显示了实现锁存功能的一种方法。

当 TLV3603-EP 检测到过流情况时，输出将切换为高电平。当输出变为高电平，再加上 MCU 的 RESET 信号为逻辑高电平时，便会在 2 通道与非门的输出端产生一个逻辑低电平信号。这会导致 TLV3603-EP 的输出保持在逻辑高电平状态（锁存），从而使 MCU 能够检测到故障状况，而不管过流情况持续多短的时间。通过添加与非门，还可以在 MCU 处理完事件后清除比较器的锁存状态。这是通过 MCU 将逻辑低电平状态传递到 NAND 输入，从而使比较器的 LE/HYS 引脚返回到逻辑高电平状态来实现的。锁存状态会被清除，TLV3603-EP 输出端可以继续跟踪输入引脚的状态。

TLV3603-EP 过流锁存输出电路图 7-11 过流锁存输出电路