ZHCSQW4 March   2025 TPS7A56

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 输出电压设置和调节
      2. 6.3.2 低噪声、超高电源抑制比 (PSRR)
      3. 6.3.3 可编程软启动（NR/SS 引脚）
      4. 6.3.4 精密使能和 UVLO
      5. 6.3.5 电荷泵使能与 BIAS 轨
      6. 6.3.6 电源正常引脚（PG 引脚）
      7. 6.3.7 有源放电
      8. 6.3.8 热关断保护 (TSD)
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 正常运行
      2. 6.4.2 压降运行
      3. 6.4.3 禁用
      4. 6.4.4 以电流限制模式运行
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1  精密使能（外部 UVLO）
      2. 7.1.2  欠压锁定 (UVLO) 操作
        1. 7.1.2.1 IN 引脚 UVLO
        2. 7.1.2.2 偏置 UVLO
        3. 7.1.2.3 典型 UVLO 运行
        4. 7.1.2.4 UVLO(IN) 和 UVLO(BIAS) 交互
      3. 7.1.3  压降电压 (VDO)
      4. 7.1.4  输入和输出电容器要求（CIN 和 COUT）
      5. 7.1.5  建议的电容器类型
      6. 7.1.6  软启动、降噪（NR/SS 引脚）和电源正常状态（PG 引脚）
      7. 7.1.7  优化噪声和 PSRR
      8. 7.1.8  可调节运行
      9. 7.1.9  负载瞬态响应
      10. 7.1.10 电荷泵运行情况
      11. 7.1.11 时序控制
      12. 7.1.12 电源正常状态指示功能
      13. 7.1.13 通过并联实现更高输出电流和更低噪声
      14. 7.1.14 功率耗散 (PD)
      15. 7.1.15 估算结温
      16. 7.1.16 TPS7A57EVM-056 散热分析
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
      2. 8.1.2 器件命名规则
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息
    1. 10.1 机械数据

6.3.7 有源放电

为了使内部节点快速放电，该器件集成了两个内部下拉金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。当器件被禁用以主动对输出电容器放电时，第一个下拉 MOSFET 将一个电阻器 (RDIS) 从 OUT 连接到地。当器件被禁用并对 NR/SS 电容器放电时，第二个下拉 MOSFET 将一个电阻器从 NR/SS (RNR/SS_DIS) 连接到地。两个下拉 MOSFET 均由以下任一事件激活：

  • 将 EN 引脚驱动至低于 VEN(LOW) 阈值
  • IN 引脚电压降至欠压锁定 VUVLO(IN) 阈值以下
  • BIAS 引脚电压降至欠压锁定 VUVLO(BIAS) 阈值以下
注： 低输入、低输出 (LILO) 运行 (< 1.1VIN) 期间的 BIAS 欠压事件可能会导致 CNR/SS 放电不完全。为了正确执行系统关断过程，请考虑 NR/SS 和 OUT 引脚上的时间常数。