ZHCSQC4 数据表 | 德州仪器 TI.com.cn

ZHCSQC4A June 2022 – November 2022 IWR6243

PRODUCTION DATA

8.1 绝对最大额定值

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）⁽¹⁾⁽²⁾

参数		最小值	最大值	单位
VDDIN	1.2V 数字电源	-0.5	1.4	V
VIN_SRAM	用于内部 SRAM 的 1.2V 电源轨	-0.5	1.4	V
VNWA	用于 SRAM 阵列反馈偏置的 1.2V 电源轨	-0.5	1.4	V
VIOIN	I/O 电源（3.3V 或 1.8V）：所有 CMOS I/O 都将在此电源上运行。	-0.5	3.8	V
VIOIN_18	用于 CMOS IO 的 1.8V 电源	-0.5	2	V
VIN_18CLK	用于时钟模块的 1.8V 电源	-0.5	2	V
VIOIN_18DIFF	用于 CSI2 端口的 1.8V 电源	-0.5	2	V
VIN_13RF1	1.3V 模拟和射频电源，VIN_13RF1 和 VIN_13RF2 可以在电路板上短接。	-0.5	1.45	V
VIN_13RF2	1.3V 模拟和射频电源，VIN_13RF1 和 VIN_13RF2 可以在电路板上短接。	-0.5	1.45	V
VIN_13RF1	1V 内部 LDO 旁路模式。器件支持外部电源管理模块可在 VIN_13RF1 和 VIN_13RF2 电源轨上提供 1V 电压的模式。在该配置中，器件的内部 LDO 将保持旁路状态。	-0.5	1.4	V
VIN_13RF2		-0.5	1.4	V
VIN_18BB	1.8V 模拟基带电源	-0.5	2	V
VIN_18VCO 电源	1.8V 射频 VCO 电源	-0.5	2	V
RX1-4	射频输入端上的外部施加电源		10	dBm
TX1-4	射频输出端上的外部施加电源⁽³⁾		10	dBm
输入和输出电压范围	双电压 LVCMOS 输入，3.3V 或 1.8V（稳态）	-0.3V	VIOIN + 0.3	V
输入和输出电压范围	双电压 LVCMOS 输入，在 3.3V/1.8V （瞬态过冲/下冲）条件下运行，或外部振荡器输入	VIOIN + 20%，高达信号周期的 20%		V
CLKP、CLKM	参考晶振输入端口	-0.5	2	V
钳位电流	输入或输出电压高于或低于各自电源轨 0.3V。限制流经 I/O 内部二极管保护单元的钳位电流。	-20	20	mA
T_J	工作结温范围	-40	105	°C
T_STG	焊接到 PC 板上后的贮存温度范围	-55	150	°C

(1) 应力超出绝对最大额定值中列出的值时可能会对器件造成永久损坏。这些列出的值仅是应力额定值，并不表示器件在这些条件下以及在建议运行条件以外的任何其他条件下能够正常运行。长时间处于绝对最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。

(2) 除非另有说明，所有电压值均相对于 V_SS。

(3) 此值用于 TX 上外部施加的信号电平。此外，可以在 TX 输出端上应用最高伽马 = 1 的反射系数。