ZHCSNL1A December   2024  – March 2025 TAS6754-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 建议运行条件
    3. 5.3 ESD 等级
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 参数测量信息
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 电源
        1. 7.3.1.1 电源序列
          1. 7.3.1.1.1 上电序列
          2. 7.3.1.1.2 下电序列
        2. 7.3.1.2 器件初始化和上电复位 (POR)
      2. 7.3.2 串行音频端口
        1. 7.3.2.1 左对齐定时
        2. 7.3.2.2 I2S 模式
        3. 7.3.2.3 DSP 模式
        4. 7.3.2.4 TDM 模式
        5. 7.3.2.5 SDOUT - 数据输出
        6. 7.3.2.6 器件时钟
          1. 7.3.2.6.1 时钟速率
          2. 7.3.2.6.2 时钟暂停自动恢复
          3. 7.3.2.6.3 采样率动态变化
        7. 7.3.2.7 时钟错误处理
      3. 7.3.3 数字音频处理
        1. 7.3.3.1 PVDD 折返
        2. 7.3.3.2 高通滤波器
        3. 7.3.3.3 模拟增益
        4. 7.3.3.4 数字音量控制
          1. 7.3.3.4.1 自动静音
        5. 7.3.3.5 增益补偿双二阶滤波器
        6. 7.3.3.6 低延迟号路径
        7. 7.3.3.7 全功能低延时路径
      4. 7.3.4 D 类运行和扩频控制
        1. 7.3.4.1 1L 调制
        2. 7.3.4.2 高频脉宽调制器 (PWM)
        3. 7.3.4.3 扩频控制
        4. 7.3.4.4 栅极驱动
        5. 7.3.4.5 功率 FET
      5. 7.3.5 负载诊断
        1. 7.3.5.1 直流负载诊断
          1. 7.3.5.1.1 器件初始化时的自动直流负载诊断
          2. 7.3.5.1.2 高阻态或 PLAY 期间的自动直流负载诊断
          3. 7.3.5.1.3 手动启动直流负载诊断
          4. 7.3.5.1.4 接地短路
          5. 7.3.5.1.5 电源短路保护
          6. 7.3.5.1.6 短路负载和开路负载
        2. 7.3.5.2 线路输出诊断
        3. 7.3.5.3 交流负载诊断
          1. 7.3.5.3.1 工作原理
          2. 7.3.5.3.2 激励
          3. 7.3.5.3.3 负载阻抗
          4. 7.3.5.3.4 高频扬声器检测
        4. 7.3.5.4 实时负载诊断
        5. 7.3.5.5 直流电阻测量
      6. 7.3.6 保护和监控
        1. 7.3.6.1 过流限制（逐周期）
        2. 7.3.6.2 过流关断
        3. 7.3.6.3 电流检测
        4. 7.3.6.4 直流检测
        5. 7.3.6.5 数字削波检测
        6. 7.3.6.6 电荷泵
        7. 7.3.6.7 温度保护和监测
          1. 7.3.6.7.1 过热关断
          2. 7.3.6.7.2 过热警告
          3. 7.3.6.7.3 热增益和热折返
        8. 7.3.6.8 电源故障
      7. 7.3.7 硬件控制引脚
        1. 7.3.7.1 FAULT 引脚
        2. 7.3.7.2 PD 引脚
        3. 7.3.7.3 STBY 引脚
        4. 7.3.7.4 GPIO 引脚
          1. 7.3.7.4.1 通用输入
          2. 7.3.7.4.2 通用输出
        5. 7.3.7.5 高级 GPIO 功能
          1. 7.3.7.5.1 时钟同步
            1. 7.3.7.5.1.1 外部 SYNC 信号（GPIO 同步）
            2. 7.3.7.5.1.2 通过音频串行时钟 (SCLK) 进行同步
            3. 7.3.7.5.1.3 TAS6754-Q1 作为外部器件的时钟源
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 内部报告信号
        1. 7.4.1.1 故障信号
        2. 7.4.1.2 警告信号
      2. 7.4.2 器件状态和标志
        1. 7.4.2.1 音频通道状态
          1. 7.4.2.1.1 SHUTDOWN 状态
          2. 7.4.2.1.2 DEEP SLEEP 状态
          3. 7.4.2.1.3 LOAD DIAG 状态
          4. 7.4.2.1.4 休眠状态
          5. 7.4.2.1.5 高阻态
          6. 7.4.2.1.6 PLAY 状态
          7. 7.4.2.1.7 FAULT 状态
          8. 7.4.2.1.8 自动恢复 (AUTOREC) 状态
      3. 7.4.3 故障事件
        1. 7.4.3.1 电源故障事件
          1. 7.4.3.1.1 DVDD 上电复位 (POR)
          2. 7.4.3.1.2 DVDD 欠压故障
          3. 7.4.3.1.3 VBAT 过压故障
          4. 7.4.3.1.4 VBAT 欠压故障
          5. 7.4.3.1.5 PVDD 过压故障
          6. 7.4.3.1.6 PVDD 欠压故障
        2. 7.4.3.2 过热关断 (OTSD) 事件
        3. 7.4.3.3 过流限制故障事件
        4. 7.4.3.4 过流关断事件
        5. 7.4.3.5 直流故障事件
        6. 7.4.3.6 时钟错误事件
        7. 7.4.3.7 电荷泵故障事件
      4. 7.4.4 警告事件
        1. 7.4.4.1 过热警告事件
        2. 7.4.4.2 过流限制警告事件
        3. 7.4.4.3 削波检测警告事件
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 I2C 串行通信总线
      2. 7.5.2 I2C 地址选择
      3. 7.5.3 I2C 总线协议
      4. 7.5.4 随机写入
      5. 7.5.5 顺序写入
      6. 7.5.6 随机读取
      7. 7.5.7 顺序读取
  9. 8 应用信息免责声明
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 重构滤波器设计
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 BTL 应用
      2. 8.2.2 电源相关建议
      3. 8.2.3 电源去耦
    3. 8.3 布局
      1. 8.3.1 布局指南
        1. 8.3.1.1 散热焊盘和散热器的电气连接
        2. 8.3.1.2 EMI 注意事项
        3. 8.3.1.3 通用准则
      2. 8.3.2 布局示例
      3. 8.3.3 散热注意事项
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

7.3.4.4 栅极驱动

栅极驱动器接受低压 PWM 信号并对其进行电平转换以驱动高电流全桥功率 FET 级。

该器件使用专有技术来优化 EMI 和音频性能。栅极驱动器电源电压 GVDD 是内部生成的，必须连接一个去耦电容器。

完整的 H 桥输出级仅使用 NMOS 晶体管。因此，需要使用自举电容器来确保 OUT-xP 端的高侧 NMOS 晶体管的正常运行。每个输出端与相应的自举输入端之间必须连接一个 1µF 的陶瓷电容器，电容质量需达到 X7R 或更高等级，并且额定电压必须适应所施加的电压（包括负载突降电压）。连接在 BST 引脚和相应输出端之间的自举电容器用作高侧 N 沟道功率 MOSFET 栅极驱动电路的浮动电源。在每个高侧开关周期期间，自举电容器将栅源电压保持在高电平，从而保持高侧 MOSFET 导通。

OUT_xM 端的高侧 FET 栅极驱动器由四个通道共用的电荷泵 (CP) 电源供电。从 CP 引脚到 PVDD 必须连接一个 330nF 的陶瓷电容器，电容质量需达到 X7R 或更高等级，并且额定电压必须适应所施加的电压（包括负载突降电压）。此外，必须从 CPC_TOP 引脚到 CPC_BOT 引脚之间连接一个同样额定值的 100nF 陶瓷电容器。