ZHCSNL1A
December 2024 – March 2025
TAS6754-Q1
PRODUCTION DATA
1
1
特性
2
应用
3
说明
4
引脚配置和功能
5
规格
5.1
绝对最大额定值
5.2
建议运行条件
5.3
ESD 等级
5.4
热性能信息
5.5
电气特性
5.6
典型特性
6
参数测量信息
7
详细说明
7.1
概述
7.2
功能方框图
7.3
特性说明
7.3.1
电源
7.3.1.1
电源序列
7.3.1.1.1
上电序列
7.3.1.1.2
下电序列
7.3.1.2
器件初始化和上电复位 (POR)
7.3.2
串行音频端口
7.3.2.1
左对齐定时
7.3.2.2
I2S 模式
7.3.2.3
DSP 模式
7.3.2.4
TDM 模式
7.3.2.5
SDOUT - 数据输出
7.3.2.6
器件时钟
7.3.2.6.1
时钟速率
7.3.2.6.2
时钟暂停自动恢复
7.3.2.6.3
采样率动态变化
7.3.2.7
时钟错误处理
7.3.3
数字音频处理
7.3.3.1
PVDD 折返
7.3.3.2
高通滤波器
7.3.3.3
模拟增益
7.3.3.4
数字音量控制
7.3.3.4.1
自动静音
7.3.3.5
增益补偿双二阶滤波器
7.3.3.6
低延迟号路径
7.3.3.7
全功能低延时路径
7.3.4
D 类运行和扩频控制
7.3.4.1
1L 调制
7.3.4.2
高频脉宽调制器 (PWM)
7.3.4.3
扩频控制
7.3.4.4
栅极驱动
7.3.4.5
功率 FET
7.3.5
负载诊断
7.3.5.1
直流负载诊断
7.3.5.1.1
器件初始化时的自动直流负载诊断
7.3.5.1.2
高阻态或 PLAY 期间的自动直流负载诊断
7.3.5.1.3
手动启动直流负载诊断
7.3.5.1.4
接地短路
7.3.5.1.5
电源短路保护
7.3.5.1.6
短路负载和开路负载
7.3.5.2
线路输出诊断
7.3.5.3
交流负载诊断
7.3.5.3.1
工作原理
7.3.5.3.2
激励
7.3.5.3.3
负载阻抗
7.3.5.3.4
高频扬声器检测
7.3.5.4
实时负载诊断
7.3.5.5
直流电阻测量
7.3.6
保护和监控
7.3.6.1
过流限制(逐周期)
7.3.6.2
过流关断
7.3.6.3
电流检测
7.3.6.4
直流检测
7.3.6.5
数字削波检测
7.3.6.6
电荷泵
7.3.6.7
温度保护和监测
7.3.6.7.1
过热关断
7.3.6.7.2
过热警告
7.3.6.7.3
热增益和热折返
7.3.6.8
电源故障
7.3.7
硬件控制引脚
7.3.7.1
FAULT 引脚
7.3.7.2
PD 引脚
7.3.7.3
STBY 引脚
7.3.7.4
GPIO 引脚
7.3.7.4.1
通用输入
7.3.7.4.2
通用输出
7.3.7.5
高级 GPIO 功能
7.3.7.5.1
时钟同步
7.3.7.5.1.1
外部 SYNC 信号(GPIO 同步)
7.3.7.5.1.2
通过音频串行时钟 (SCLK) 进行同步
7.3.7.5.1.3
TAS6754-Q1 作为外部器件的时钟源
7.4
器件功能模式
7.4.1
内部报告信号
7.4.1.1
故障信号
7.4.1.2
警告信号
7.4.2
器件状态和标志
7.4.2.1
音频通道状态
7.4.2.1.1
SHUTDOWN 状态
7.4.2.1.2
DEEP SLEEP 状态
7.4.2.1.3
LOAD DIAG 状态
7.4.2.1.4
休眠状态
7.4.2.1.5
高阻态
7.4.2.1.6
PLAY 状态
7.4.2.1.7
FAULT 状态
7.4.2.1.8
自动恢复 (AUTOREC) 状态
7.4.3
故障事件
7.4.3.1
电源故障事件
7.4.3.1.1
DVDD 上电复位 (POR)
7.4.3.1.2
DVDD 欠压故障
7.4.3.1.3
VBAT 过压故障
7.4.3.1.4
VBAT 欠压故障
7.4.3.1.5
PVDD 过压故障
7.4.3.1.6
PVDD 欠压故障
7.4.3.2
过热关断 (OTSD) 事件
7.4.3.3
过流限制故障事件
7.4.3.4
过流关断事件
7.4.3.5
直流故障事件
7.4.3.6
时钟错误事件
7.4.3.7
电荷泵故障事件
7.4.4
警告事件
7.4.4.1
过热警告事件
7.4.4.2
过流限制警告事件
7.4.4.3
削波检测警告事件
7.5
编程
7.5.1
I2C 串行通信总线
7.5.2
I2C 地址选择
7.5.3
I2C 总线协议
7.5.4
随机写入
7.5.5
顺序写入
7.5.6
随机读取
7.5.7
顺序读取
8
应用信息免责声明
8.1
应用信息
8.1.1
重构滤波器设计
8.2
典型应用
8.2.1
BTL 应用
8.2.2
电源相关建议
8.2.3
电源去耦
8.3
布局
8.3.1
布局指南
8.3.1.1
散热焊盘和散热器的电气连接
8.3.1.2
EMI 注意事项
8.3.1.3
通用准则
8.3.2
布局示例
8.3.3
散热注意事项
9
器件和文档支持
9.1
文档支持
9.1.1
相关文档
9.2
接收文档更新通知
9.3
支持资源
9.4
商标
9.5
静电放电警告
9.6
术语表
10
修订历史记录
11
机械、封装和可订购信息
8.3.1.3
通用准则
对于以下步骤,可参阅
节 8.3.2
:
PVDD 去耦电容
A
。100nF 电容放置在同一层,非常靠近器件,其中接地回路靠近 PGND 引脚。1μF 电容器可以放置在 PCB 的背面。
承载大电流的布线包含多个过孔,
B
,以降低这些布线的串联阻抗。
与器件引脚位于同一侧的接地平面,
C
,可以为高频率开关电流提供极低的环路阻抗,从而有助于降低 EMI。该平面在其他层的接地平面之间具有多个过孔。
LC 滤波器中电容器的接地连接,
D
,具有返回至器件的直接路径,且每个通道的接地回路是共享的。该直接路径可以改善共模 EMI 抑制。该直接路径与
TAS6754-Q1
位于 PCB 的同一层。
OUT_xP 指示器、OUT_xP 至 OUT_xM 电容器和 OUT_xM 至 GND 电容器,
E
,从器件的 OUT 引脚到 GND 引脚的环路尺寸需达到最小。这些是与开关相关的 PCB 布线。环路尺寸直接影响电场耦合。
散热器安装螺丝,
F
,靠近器件,以保持从封装到接地的回路短路,为高频噪声提供低阻抗的布线,将其耦合到散热器并返回到 PCB。
在 PLL_BYP、VR_DIG_BYP、VR_DIG_RET、AVDD_BYP、AVDD_RET、VREG_BYP、VREG_RET、GVDD_BYP 和 DVDD 处的去耦电容器
G
与器件放置在同一层,不会影响 LC 滤波器
D
的返回路径。
建议将 PVDD 电源布线
H
放置在内层上,并与器件两侧的通道对称。
建议将器件输出布线
I
放置在内层上,并在器件的两侧对称。