9 修订历史记录
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLB (June 2020)to RevisionC (November 2024)
- 更新了整个文档中的表格、图和交叉参考的编号格式Go
- 通篇将 PMOS 和 NMOS 更改为 MOSGo
- 更改了 WQFN-16 封装的参数“UVLO VIN 上升”:将典型值从 2.628V 更改为 2.75VGo
- 更改了 WQFN-16 封装的参数“UVLO VIN 下降”:将典型值从 2.3V 更改为 2.5VGo
- 更改了 WQFN-16 封装的参数“UVLO 迟滞”:将典型值从 330mV 更改为 260mVGo
- 在参数 FFB 的“测试条件”中添加了“HTSSOP-20 封装”Go
- 更改了 WQFN-16 封装的参数“ICL_BOT”:将典型值从 0.75A 改为 1.0AGo
- 更改了参数“IQVINC 两个输出均开启时的 VINC 静态电流(非开关)”:将“测试条件 VFB”从 0.9V 更改为 0.95VGo
- 更改了参数“IQVIND VIND 静态电流(非开关)”:将“测试条件 VFB”从 0.9V 更改为 0.95VGo
- 更新了 HTSSOP-20 封装的功能方框图中的电源正常阈值,以匹配电气特性Go
- 添加了 WQFN-16 封装的功能方框图Go
- 添加了 WQFN-16 封装的典型欠压锁定阈值Go
- 在说明如何使用 PG1 来控制 VOUT2 的注释中将 ±10% 更改为 ±15%Go
- 在说明电源正常阈值的句子中将 ±14% 更改为 ±15%Go
- 更新了图 7-6
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- 将节标题更新为 HTSSOP-20 封装的电流限制和短路保护
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- 添加了新的一节,即WQFN-16 封装的电流限制和短路保护
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- 根据表 7-2 在图 7-7 中添加了 C6Go
- 将图 7-7 中的 VOUT2 从 1.8V 更改为 0.8VGo
- 将图 7-7 中的 VOUT1 从 3.3V 更改为 1.8VGo
- 将图 7-7 中的 VIN 最小值从 4.5V 更改为 3VGo
- 将介绍内部功率损耗计算的句子和表 7-3 中的 550kHz 更改为 2.2MHzGo
- 为 HTSSOP-20 封装和 WQFN-16 封装添加了单独的电源相关建议 小节Go
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLA (July 2019)to RevisionB (June 2020)