ZHCSI85C May 2018 – November 2024 LM26420-Q1
PRODUCTION DATA
LM26420-Q1 的每个通道都包含一个高侧 PMOS FET 和一个低侧 NMOS FET,如图 7-15 所示。高侧 PMOS FET 的源极节点分别连接到 VIND1 和 VIND2。VINC 是高侧和低侧栅极驱动器的电源。理想情况下,VINC 通过 RC 滤波器连接到 VIND1和 VIND2,有关详细信息,请参阅节 7.1.2。如果允许 VINC 低于 VIND1 或 VIND2,则无论相应栅极驱动器的状态如何,都可以导通高侧 PMOS FET。在这种情况下,当低侧 NMOS FET 导通时会发生击穿,并可能导致永久性损坏。在向 VINC、VIND1 和 VIND2 施加输入电压时,VINC 不得小于 VIND1,2 – VTH,以免发生击穿和 FET 损坏。
图 7-15 VINC、VIND1 和 VIND2 连接