ZHCSGU9C June   2017  – November 2018 TPS2373

PRODUCTION DATA.  

  1. 特性
  2. 应用
  3. 说明
    1.     Device Images
      1.      简化原理图
  4. 修订历史记录
  5. 引脚配置和功能
    1.     引脚功能
  6. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 额定值
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  7. 详细 说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能框图
    3. 7.3 特性 说明
      1. 7.3.1  APD 辅助电源检测
      2. 7.3.2  PG 电源正常(转换器使能)引脚接口
      3. 7.3.3  CLSA 和 CLSB 分类
      4. 7.3.4  DEN 检测和使能
      5. 7.3.5  内部导通 MOSFET
      6. 7.3.6  TPH、TPL 和 BT PSE 类型指标
      7. 7.3.7  VC_IN、VC_OUT、UVLO_SEL 和高级 PWM 启动
      8. 7.3.8  AMPS_CTL、MPS_DUTY 和自动 MPS
      9. 7.3.9  VDD 电源电压
      10. 7.3.10 VSS
      11. 7.3.11 外露散热焊盘
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1  PoE 概述
      2. 7.4.2  阈值电压
      3. 7.4.3  PoE 启动顺序
      4. 7.4.4  检测
      5. 7.4.5  硬件分类
      6. 7.4.6  浪涌和启动
      7. 7.4.7  维持功率特征
      8. 7.4.8  高级启动和转换器运行
      9. 7.4.9  PD 热插拔运行
      10. 7.4.10 启动和电源管理,PG、TPH、TPL、BT
      11. 7.4.11 适配器 ORing
      12. 7.4.12 使用 DEN 禁用 PoE
      13. 7.4.13 ORing 挑战
  8. 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计要求
        1. 8.2.2.1  输入电桥和肖特基二极管
        2. 8.2.2.2  保护器件,D1
        3. 8.2.2.3  电容,C1
        4. 8.2.2.4  检测电阻,RDEN
        5. 8.2.2.5  分类电阻,RCLSA 和 RCLSB
        6. 8.2.2.6  APD 引脚分压器网络 RAPD1、RAPD2
        7. 8.2.2.7  用于 TPH、TPL 和 BT 的光隔离器
        8. 8.2.2.8  VC 输入和输出,CVCIN 和 CVCOUT
        9. 8.2.2.9  UVLO 选择,UVLO_SEL
        10. 8.2.2.10 自动 MPS 和 MPS 占空比,RMPS 和 RMPS_DUTY
        11. 8.2.2.11 内部电压基准,RREF
      3. 8.2.3 应用曲线
  9. 电源建议
  10. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
    3. 10.3 EMI 遏制
    4. 10.4 散热注意事项和 OTSD
    5. 10.5 ESD
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 社区资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 术语表
  12. 12机械、封装和可订购信息

PD 热插拔运行

IEEE802.3bt 新增了有关 3 型和 4 型运行模式的 PSE 输出限制要求以便涵盖更高功率的应用和 4 线对 应用。2 型、3 型和 4 型 PSE 必须符合已指定最小和最大拉电流边界的输出电流与时间关系模板。每个 2 线对的峰值输出电流可能高达 50A(持续 10μs)或 1.75A(持续 75ms),而通过 4 线对输电时,总峰值电流将是这些值的两倍。因此,相对于 IEEE 802.3-2012,该标准更加需要对 PD 设备进行可靠保护。

内部热插拔 MOSFET 借助限流和抗尖峰脉冲式(延时滤波式)折返功能来防止输出故障和输入电压阶跃。导通 MOSFET 出现过载时将触发限流功能,结果使 V(RTN-VSS) 上升。如果 V(RTN-VSS) 上升到大约 14.5V 以上且持续时间超过大约 1.65ms,则电流限值将恢复到浪涌值,并且 PG 输出端被强制为低电平,从而关闭转换器,但这种情况下没有适用的最小浪涌延迟周期 (81.5ms)。1.65ms 抗尖峰脉冲功能可防止瞬变使 PD 复位,但前提是恢复处于热插拔和 PSE 保护范围内。Figure 28 显示了 VDD 至 RTN 短路期间的 RTN 电流曲线示例(使用 5 欧姆负载阻抗)。热插拔 MOSFET 将进入电流限制范围,导致 RTN 电压升高。一旦 VRTN 超过 14.5V,被钳位到电流限值的 IRTN 将在 1.65ms 后下降到浪涌电流限值水平。

当 V(VDD-VSS) 下降到 UVLO 下方之后又上升到其上方时,也会重新建立浪涌电流限值。

TPS2373 Response_to_PD_Short_Circuit_SLUSCD1.gifFigure 28. 对 PD 输出短路的响应

PD 控制器具有热传感器,可用于保护内部热插拔 MOSFET、启动电流源和 MPS 脉冲电流驱动器。启动状态或 VDD 至 RTN 短路等状态会在 MOSFET 中引起高功耗。过热关断 (OTSD) 功能会关闭热插拔 MOSFET、类别稳压器、启动电流源和 MPS 驱动器,它们将在器件冷却后重新启动。过热事件消失后,热插拔 MOSFET 将被重新启用,且 TPS2373 将恢复到浪涌阶段。在供电运行期间将 DEN 拉至 VSS 会导致内部热插拔 MOSFET 关闭。此特性允许 PD 使用Figure 29 所示的 ORing 方案三来实现适配器优先级。

在以下情况下将强制关闭热插拔开关:

  1. VAPD 高于 VAPDEN(大约为 1.65V),
  2. V(DEN –VSS) < VPD-DIS(当 V(VDD-VSS) 处于运行范围内时),
  3. PD 过热,或
  4. V(VDD –VSS) < PoE UVLO 下降阈值(大约为 32V)。