ZHCAG26 December 2025 MSPM0H3216
表 1-1 描述了 MSPM0H 硬件设计过程中需要检查的主要内容。以下各节提供了更多详细信息。
| 引脚 | 说明 | 要求 |
|---|---|---|
| VDD | 电源正极引脚 | 在 VDD 和 VSS 之间放置 10μF 和 100nF 电容器,并使这些器件靠近 VDD 和 VSS 引脚。 |
| VSS | 电源负极引脚 | |
| NRST | 复位引脚 | 连接一个外部 47kΩ 上拉电阻和一个 10nF 至 100nF 下拉电容。在 RESET 引脚上添加一个具有适当电容的电容器可以抑制 ESD 引起的瞬态干扰,从而降低意外复位的风险。 |
| VREF+ | 电压基准电源 - 外部基准输入 |
|
| VREF- | 电压基准接地电源 - 外部基准输入 | |
| SWCLK | 来自调试探针的串行线时钟 | 内部下拉到 VSS,不需要任何外部器件。 |
| SWDIO | 双向(共享)串行线数据 | 内部上拉到 VDD,不需要任何外部器件。 |
| PA11 | 默认 BSL 调用引脚 | 保持下拉状态,以避免在复位后进入 BSL 模式。(BSL 调用引脚可以重新映射。) |
| PAx | 通用 I/O | 将相应的引脚功能设置为 GPIO。(PINCMx.PF = 0x1) |
| 未使用的 PAx | 通用 I/O | 使用内部上拉或下拉电阻器将未使用的引脚配置为输出低电平或输入。 |
| 散热焊盘 | QFN 封装上的散热焊盘 | 焊盘的热量通过过孔传递到 PCB 的连续铜平面(例如 GND 平面)。铜面积越大,散热效果越好。 |
TI 建议将一个 10μF 和一个 0.1nF 低 ESR 陶瓷去耦电容器组合连接到 VDD 和 VSS 引脚。可以使用值更大的电容,但可能会影响电源轨斜升时间。去耦电容必须尽可能靠近要去耦的引脚的位置(几毫米范围内)。
NRST 复位引脚需要连接一个外部 47kΩ 上拉电阻器和一个 10nF 下拉电容器。
对于支持外部晶振的器件,在使用外部晶振时,需要为晶体振荡器引脚使用外部旁路电容。