ZHCAG18 December   2025 AM625 , AM62A7 , AM62D-Q1 , AM62P , AM6442

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2术语
  6. 3了解引导模式和闪存兼容性
  7. 4闪存集成和 SysConfig 设置
    1. 4.1 FLASH 参数
      1. 4.1.1 建议的方法
    2. 4.2 OSPI 参数
  8. 5常见启动问题和调试
    1. 5.1 引导失败
    2. 5.2 已知勘误表
    3. 5.3 闪存初始化失败
      1. 5.3.1 FLASH 和 OSPI SysConfig 值
      2. 5.3.2 闪存器件和制造 ID 读取失败
      3. 5.3.3 PHY 故障
    4. 5.4 闪存读取失败
    5. 5.5 闪存编程故障
  9. 6请求 OSPI 和 FLASH 支持的检查清单
  10. 7摘要
  11. 8参考资料

5.1 引导失败

出现与 ROM 发出 3 字节地址且闪存保持 4 字节寻址模式相关的引导失败很常见。要了解有关这方面的更多信息，请参阅 AM62P TRM 中的图 5-1。

计算机错误屏幕截图，该内容由 AI 生成，可能不正确。图 5-1 关于复位信号的 AM62P TRM 部分

某些串行 NAND 闪存无法在串行 NAND 引导模式下引导，因为闪存中的参数页未存储在偏移地址 0x1 处。对于串行 NAND 闪存，参数页必须位于偏移地址 0x1 处，才能在串行 NAND 引导模式下成功引导。有关参数页偏移的信息可以从闪存数据表中获得。

对于串行 NOR 闪存，请始终确保验证引导模式说明中的命令。了解引导模式和闪存兼容性中对此进行了介绍。

使用 QSPI NOR 闪存时，常见引导模式是 QSPI 引导模式。请注意，对于 QSPI 引导模式，除了使引导模式说明与闪存数据表相符之外，还必须检查 QE 位。QE 是四路使能位。为了使 ROM 正确发出 1S-1S-4S，QSPI 闪存必须已设置 QE 位，因为 ROM 未设置该位。有些 QSPI 闪存默认情况下在出厂时设置了 QE 位。对于未设置 QE 位的 QSPI 闪存，TI 建议在 QSPI 引导模式下在引导之前设置 QE 位。