TI SOC 上 VTM 的典型布局如图 1-2 所示。这表明温度监测器（例如片上温度传感器）置于发热区域附近。VTM 模块经由内部连接控制芯片内的温度监测器。单个 VTM 可以通过寄存器控制多达八个温度传感器。由于温度传感器不会自行定期更新，因此 VTM 会定期启用温度传感器持续更新报告的温度数据。温度传感器返回的温度值由 VTM 寄存器捕获，并存储在 VTM 内的相应寄存器中。未启用传感器时，VTM 会将这些传感器保持在复位状态以省电并减少传感器使用量，从而更大限度地延长传感器使用寿命。

不同的 SOC 通常需要不同数量的温度传感器，原理是尝试将传感器放置在靠近热源的位置，并覆盖所有热源。表 1-1 收集与其在所有 TI 处理器中的位置相关联的温度传感器。客户可以根据所应用的相应 SOC 来循环结果。该表根据热点的物理距离来进行分类。由于传感器主要位于两个热源及不同电源域边界之间，因此很难明确定义。该表格只能用作传感器位置的粗略参考。有关详细信息，请参阅 TRM（技术参考手册）。

所有 SOC 都在 Arm 内核周围放置了一个传感器，因为内核是 SOC 中的最热点。由于 DDR 负责整个 SOC 的数据吞吐量并高速运行，因此 DDR 存在显著的过热风险。因此，通常还需要将传感器放置在 DDR 控制器中进行监测。