TPS61299 与 TPS61022 的预充电方法不同。当输出电压低于输入电压时，TPS61299 采用一种称为“降压模式”的开关充电方法为输出充电。电流控制需要产生一个高于输入的电压，以便实现伏秒平衡。

TPS61299 是 PMOS 降压模式的典型示例。与 TPS61022 等预充电器件类似，TPS61299 将源极切换到 SW 引脚，以阻断前面提到的浪涌电流。图 2-11 展示了 TPS61299 的降压模式行为。

与升压模式开关过程类似，一个降压模式开关周期分为低侧相位和高侧相位。在低侧相位期间，低侧开关导通，电感电流以斜率 VIN/L 上升。接着在高侧相位期间，低侧开关关断，而高侧开关将栅极连接到输入。如 图 2-12所示，电感电流为栅极电容充电，并升高 SW 引脚的电压。

随着 V_gs 上升，高侧进入饱和区域，并使用 Id 为输出电容器充电。电流 Ig 继续对 Cg 充电并升高 Vsw，直到 Id 与 IL 匹配。此时，方程式 17 给出了 SW 引脚上的电压。

当该 SW 电压高于 Vin 时，可以实现伏秒平衡，并且可以通过与升压模式相同的方式来控制器件。图 2-13 显示了 TPS61299 启动波形。

降压模式器件克服了预充电在低 Vin 启动能力方面的缺点。对于预充电器件，高侧开关的 V_gs 接收来自输入电压的电源，且不能超过输入电压。如果输入电压不足以使开关形成导电沟道，器件将无法启动。然而，由于 Vgs 由电感电流（而非输入电流）充电，降压模式器件可以在低得多的输入电压下启动。这使得降压模式器件更适用于低 Vin 产品。

此外，对于使用 NMOS 作为高侧开关的高电流器件，无法进行预充电。对于 NMOS 上部开关，栅极电压必须超过输入电压才能使接口反相。如果不进行开关操作，自举电容器便无法充电，栅极电压也就无法提供。

然而，与预充电器件相比，降压模式器件的效率较差。降压模式的功率损耗由 方程式 18 给出，预充电的功率损耗由 方程式 19 给出。显然，由于高侧 MOSFET 上的电压较高，降压模式器件比预充电器件损耗更大。