如 图 2-4 中所示，需要在 XTR200 输出端额外附加电路来实现与 M-CRPS 标准的兼容性。二极管 D1 和运算放大器 U3 形成一个钳位电路，可防止输出电压（在二极管 D2 之后）超过 3.3V。如果 XTR200 的输出电压低于 U3 同相输入端的钳位电压（原理图中为 3.8V），则 U3 的输出达到正电源饱和电压，从而导致二极管 D1 处于反向偏置状态。但是，如果 XTR200 的输出超过钳位电压，则 U3 的输出变为低电平，并通过 D1 灌入电流，以使两个运算放大器输入端的电压相等。如果使用齐纳二极管实现钳位功能，请选择低漏电流类型，避免影响监测电流的精度。

二极管 D2 可防止在电路未通电时，反向电流流回电流监测电路。M-CRPS 标准定义了在 85⁰C 和 12V 下，流入 IMON 引脚的漏电流需小于 500nA 的严格要求。因此，二极管 D1 和 D2 都是低漏电流类型，例如 BAS716。温度每升高 10⁰C，二极管漏电流大约增加一倍。因此，若要使电路在 85⁰C 时的漏电流小于 500nA，那么在 25⁰C 时的漏电流必须小于 7.8nA。

晶体管 Q1 是 PJFET，可用于将 IMON 引脚拉至低电平以实现“在位”检测。M-CRPS 标准建议，在 IMON 引脚的输出端使用这个附加电路，以实现与旧系统的向后兼容。由于通过 Q1 的泄漏直接导致引脚输出泄漏，因此必须使用低泄漏 PJFET（如 MMBFJ177）来优化此功能。典型 NMOS 晶体管的关断状态泄漏过高，无法满足该标准要求。