4 结果

表 4-2 和 表 4-1 中的 x 指示器件开始进入热关断。高于该值的电容器可以充满电，但仅在器件自动重试几次后才充满。对于一些用户来说，某些应用中输出在电容负载充满电之前多次打开和关闭可能效率低下且不及时。图 4-1展示了正常运行期间的示例波形，其中电容器充电时不会遇到热故障。

随着电流限制降低，可通过开关充电的电容量会增加。在某些情况下，当使用较低的电流限制为大电容器充电时，发生热关断但输出已成功充电，VOUT 曲线看起来更像一个阶跃函数，如图 4-2 中所示。在其他情况下，采用更高电流限制时，无论时间段长短，输出电压都无法充电至 VS，如图 4-3 中所示。浪涌或负载电流越高，FET 上的功率耗散就越多。器件升温越快，器件就越快达到热关断阈值。通过将器件配置为较低的电流限制，器件升温较低且恢复速度更快，逐步缓慢地为大电容器充电。

请注意由于测量设备的微小电压失调而导致的略微不准确，这也可能会影响总充电时间。预计与小电容器相比大电容器需要更多的时间来充电，并且这些电容器在较高温度下充电时间更长的。对于这些结果，一旦输出电压达到约 46-48V，电容器即被视为充满电。这基于输出电压停止增加的情况。在相同的电压点，电流也可能需要稍长的时间才能稳定在只有电阻负载消耗电流的负载电流电平下。这些数据表显示了所测试器件的近似充电时间，并且可能会因工艺、电压和温度 (PVT) 和电路板布局（如果不使用 EVM）而异。此处的关键概念是识别器件在哪个电容上开始发生热故障。

在较高的漏源电压（如 48V）以及较高的浪涌或负载电流时，器件限制电流的点可能高于目标限制。这是因为 FET 上的功率耗散更大。由于流经电流 I_LOAD/K_CL（电流镜机制）要小得多，因此功率 FET 相对于电流限制传感 FET 温度会升得更高。最终，由于互热，功率 FET 会导致传感 FET 开始升温，从而使两个 FET 的温度更接近。逐渐地，该器件能够更好地调节电流。这不影响器件的可靠性。