图 3-3 中突出显示的元件是降低器件给定引脚上的 DM 噪声所必需的。铁氧体磁珠 L1、L2、L4 和 L5 用于在系统布线和器件之间创建高阻抗路径，从而减少来自这些布线的噪声。对于确实到达 TMCS112x/3x 局部区域的部分，电容器 C3、C4 和 C7 构成低通滤波器，这些元件用于在到达器件之前分流噪声。

请注意，TMCS112x/3x 数据表中分别有关于 4.7nF 和 20nF 的 VOUT 和 VREF 引脚可支持的电容大小限制，这些限制必须遵守。电阻器 R1 用作可选的隔离电阻器，以增强输出引脚的输出阻抗，从而允许使用大于 4.7nF 的电容（默认情况下将其设置为 0Ω，以简单地从器件传递 VOUT 信号）。当组装非零值的 R1 时必须小心，因为这会根据器件的输出形成一个低通滤波器，并可能减小器件带宽。滤波器设计也可能会受到影响，并且需要对此元件进行建模（如果使用）。

由于谐振原因，放置了电阻器 R2。例如，假设在系统中以 2.62MHz 的频率识别噪声特征。在该给定频率下，所做的测量表明 TMCS112x/3x 的输出引脚上存在高达 1Vpp 的噪声，设计目标是将此噪声降低到 200mVpp 以下。如果以 dB 为单位，这相当于 14dB 的衰减，如方程式 1 所示。

表 3-1 对这些值进行了汇总。

有几种工具可帮助实现这类设计，如 Murata 的 Sim-Surfing 滤波器设计工具套件。选择 3.3nF 电容器以确保满足数据表中 V_OUT 引脚的限制，然后确定合适的铁氧体。选择元件后，执行仿真，如图 3-4 和图 3-5 所示。虽然铁氧体和电容器会产生所需的 -40dB/十倍频程衰减，但可以观察到这些元件之间形成了谐振，并在 1.24MHz 处形成了接近 40 倍的增益。共振会导致无法在 2.62MHz 处获得所需的衰减。

然后将电阻器 R2 放置在系统中。该电阻器用于抑制这些组件之间的谐振。图 3-6 和图 3-7 显示了组装电阻器后的重新运行仿真。观察结果是，放置电阻器可消除响应中的谐振峰值，并且还会将衰减校正到可接受的限值。40dB 衰减还移除了响应输出中约 150Mhz 的额外高频成分。