1 慢速或浮点 CMOS 输入的影响

CMOS 和 BiCMOS 系列都具有 CMOS 输入结构。此结构是一个逆变器，由一个到 VCC 的 p 沟道和一个到 GND 的 n 沟道组成，如 图 1-1 所示。使用低电平输入时，P 沟道晶体管导通，N 沟道关断，导致电流从 V_CC 流出并将节点拉至高电平状态。使用高电平输入时，N 沟道晶体管导通，P 沟道关断，电流流向 GND，将节点拉低。在这两种情况下，都没有电流从 V_CC 流向 GND。但是，当从一种状态切换到另一种状态时，输入超过阈值区域，导致 N 沟道和 P 沟道同时导通，从而在 V_CC 和 GND 之间产生电流路径。此电流浪涌可能会造成损坏，具体取决于输入处于阈值区域（0.8V 至 2V）的时间长度。每个输入的电源电流 (I_CC) 可升至几毫安，峰值约为 1.5V V_I（见图 2-1）。当在数据表指定的输入转换时间限制（位于特定器件的建议运行条件表中）内切换状态时，这不是问题。示例如 表 1-1 所示。