ZHCAEV7 December   2024 LSF0101 , LSF0102 , LSF0108 , LSF0204

 

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  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1LSF000x 与 LSF010x 在设置过程中有何区别?
  5. 2如何配置 LSF NMOS 的内部体二极管?
  6. 3在推挽应用中使用 LSF 时是否需要上拉电阻器?
  7. 4如何计算 LSF 器件的功耗?
  8. 5能否使用 LDO 作为电源?
  9. 6如果 I/O 运行电压低于 VREFA,该怎么办?
  10. 7总结
  11. 8参考资料

如何计算 LSF 器件的功耗?

LSF 系列转换器使用无源元件来执行电平转换,因此这些器件本身不会消耗太多功率,而是在其他方面会耗散功率。其中一个方面是流经器件内部偏置 FET 的小电流。在正常运行期间(LSF010x、LSF0204),从 VREFB 到 VREFA 存在漏电流,如图 4-1 所示。该电流的计算公式为 ICC = (VREFB-VREFA-VTH)/200kΩ,其中建议 RBIAS 的值为 200kΩ,以尽可能减小流回到 VCCA 的漏电流。

 从高侧电源到低侧电源的漏电流图 4-1 从高侧电源到低侧电源的漏电流

只要通过器件传播输入低电平信号,第二个漏电流就会灌入驱动器侧。在逻辑低电平期间,由于 VGS > VTH 导致 FET 源极(驱动器)和栅极之间存在电压差,因此 FET 导通。FET 的运行原理与小电阻类似,直接将输入侧连接到输出侧。在此期间,有电流从 B 侧的 RB1 流经 FET,与流经上拉电阻器 RA1 结合,然后灌入驱动器 (AN) 侧。

 输入逻辑低电平期间流入驱动器侧的漏电流图 4-2 输入逻辑低电平期间流入驱动器侧的漏电流

最坏的情况是 LSF 器件内部 FET 的所有通道都导通,其中功率耗散 PD = N x ICH2 x RON,这里的 ICH 为 IB,即流经 FET 的电流(等于 VB/RB),而 N 是有效开关的通道数。RON 值可参见数据表值。

当逻辑高电平传播时,FET 转换到截止模式,此时输入侧和输出侧彼此分离,这意味着流回驱动器侧 (AN) 的灌电流数量可以忽略不计。计算出的该漏电流微不足道,在功耗计算期间可以忽略不计。

 输入逻辑高电平期间的漏电流图 4-3 输入逻辑高电平期间的漏电流