ZHCAEV7 December 2024 LSF0101 , LSF0102 , LSF0108 , LSF0204
正常运行期间存在漏电流,该电流流入高侧电源(典型基准电压为 VREFB)并流出低侧电源(典型基准电压为 VREFA)。流经器件的电流受到 200kΩ 偏置电阻器的限制,以限制流经内部 FET 的电流,并防止低侧电源过度暴露于大电流下,这可通过 VREFB-VREFA-VTH/200k 来呈现。
并非所有电源都能灌入这种反向电流,使用低压降稳压器 (LDO) 作为电源时更不能。如果 LDO 不能灌入这种电流,则 LDO 会导致电源电压上浮至高于之前预期的电平。对于 I/O 也上拉至 LDO 的情况,其电压电平也会上升,可能会损坏信令器件和电源。为了适应低侧电源不能接受的这种电流,我们建议在该节点处添加一个相对较弱的下拉电阻器,以便创建一条路径来灌入电流。