ZHCAEV7 December   2024 LSF0101 , LSF0102 , LSF0108 , LSF0204

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1LSF000x 与 LSF010x 在设置过程中有何区别?
  5. 2如何配置 LSF NMOS 的内部体二极管?
  6. 3在推挽应用中使用 LSF 时是否需要上拉电阻器?
  7. 4如何计算 LSF 器件的功耗?
  8. 5能否使用 LDO 作为电源?
  9. 6如果 I/O 运行电压低于 VREFA,该怎么办?
  10. 7总结
  11. 8参考资料

如果 I/O 运行电压低于 VREFA,该怎么办?

为了保持 LSF 内部 FET 正常运行,VREFA 节点处偏置的电压应为 A 侧和 B 侧 I/O 上所看到的最低电压。但在某些情况下,其中一个 I/O 的运行电压低于 VCCA,那么该电压轨也不可用。例如,当 I/O 通道处的输入电压 VOH,min 在最坏情况下远低于 VCCA 时。为了保持 FET 在正确状态下运行,VREFA 需要偏置到与 VOH,min 类似的电压,以实现信号完整性。一种解决方法是创建一个具有 VCCA 轨的分压器网络,以在 VREFA 节点处保持正确的电压。有关仅具有 VREFB 轨的单电源运行,请参阅器件数据表。

 VREFA 上的分压器网络图 6-1 VREFA 上的分压器网络

使用 1MΩ 的 R1 以减小漏电流。

假定存在以下变量:

  • Vx = VREFA 轨所需的电压
  • VCCA = A 侧电源处的电压
  • VTH = 0.8V(典型阈值)
  • RBIAS = 200kΩ(外部)
  • R1 = A 侧电源上的外部上拉电阻
  • R2 = A 侧电源上的外部下拉电阻
  • VREFB = B 侧电源

然后,可以使用以下公式求解 R2(如果已知 Vx):

方程式 1. R 2 =   V x × R 1 × R B I A S R B I A S ( V A - V x ) + R 1 ( V R E F B - ( V x + V T H )

例如,VREFA 所需的电压为 1.4V,但仅有 1.8V 电源可用。在这种情况下,我们使用 1MΩ 的 R1 来减少漏电流,Vx 将为 1.4V,因为这是所需的电压。然后,可通过以下公式计算出下拉电阻 R2

方程式 2. R 2 =   1 . 4 V × 1 M Ω × 200 k Ω 200 k Ω ( 1 . 8 V - 1 . 4 V ) + 1 M Ω ( 3 . 3 V - ( 1 . 4 V + 0 . 7 V )
方程式 3. R 2 =   237 k Ω