ZHCADO1 January   2024 BQ25672 , BQ25790 , BQ25792 , BQ25798

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1引言
  5. 2IRMS 放电电流
  6. 3外部电池 FET
  7. 4具有 PG 和/或主机 GPIO 的充电器
  8. 5仅降压充电器
  9. 6升压充电器
  10. 7总结
  11. 8参考资料

5 仅降压充电器

如果没有可用的 PG 引脚，充电器始终降压（例如，输入电压 > 电池电压 + PFET 的 VGSth）且最大系统（电池）电压低于 VGSmax-Q1，输入电压可用于直接驱动 PFET 的栅极，如图 5-3 所示。

GUID-20231211-SS0I-FZSZ-7W6H-DNV2FWSXDMDZ-low.svg图 5-1 使用仅降压充电器的实现方案

只有当充电器的输入电压高于 VSGmax-Q1 时，才需要从 PFET 源到栅极的齐纳二极管钳位 D1。如果采用此配置，RPD 在正向模式下为 D1 提供电流限制，例如未应用 VBUS 时。