ZHCADO1 January   2024 BQ25672 , BQ25790 , BQ25792 , BQ25798

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1引言
  5. 2IRMS 放电电流
  6. 3外部电池 FET
  7. 4具有 PG 和/或主机 GPIO 的充电器
  8. 5仅降压充电器
  9. 6升压充电器
  10. 7总结
  11. 8参考资料

具有 PG 和/或主机 GPIO 的充电器

如果充电器具有开漏电源正常 (PG) 引脚或主机具有可用的 GPIO 引脚,则打开外部电池 PFET Q1 只需要低成本的 NFET Q2,如 2N7002。或者,可以使用主机 GPIO、通过二极管“OR”运算与 PG 一起使用,也可以驱动 Q2 的栅极。

GUID-20231211-SS0I-LDBF-CNXZ-JJFX836SGPSM-low.svg图 4-1 使用充电器的 PG 引脚和/或主机 GPIO 引脚的实现方案

如果最大 SYS 电压 [V(SYS)max] 高于 Q1 的最大 VGS 电压 (VGSmax-Q1),则可以使用下面的公式调整下拉电阻 RPD 的大小以保护 Q1。有了这些电阻器,在 V(SYS)max 大于 VGSmax-Q1 的情况下就不再需要齐纳二极管钳位了。

方程式 2. V G S ( M A X ) - Q 1   > R P U R P U + R P D × V S Y S
方程式 3. V P U - 0.6 V - V G S t h ( M A X ) - Q 2   > R P D R P U + R P D × V S Y S

如果 V(SYS)max 不高于 VSGmax-Q1,则 RPD 可以为 0 欧姆。