3 外部电池 FET

遗憾的是，系统负载占空比并非总是已知或变化很大。因此，可能需要添加一个由电池供电并与充电器的内部电池 FET (BATFET) 并联的外部电池 PMOS FET (PFET)。当充电器处于睡眠或高阻态模式（例如，当充电器没有有效输入电源）时，外部 PFET 会导通。如果转换器以最大输入功率进入 DPM，PFET 不会开启来提供补充电流。PFET 的漏源电压额定值 V_DS 必须高于充电器的最大 SYS 引脚电压（通常仅略高于电池稳压电压）与最小 BAT 引脚电压之间的差值。如果电池包保护器打开，该差值可以为零。此外，PFET 的栅源电压额定值 V_GS 必须足够高，能够承受最大电池电压，或者必须增加电阻分压器或齐纳二极管钳位来保护 PFET 的栅极。PFET 的 R_DSon 必须至少与内部电池 FET RDSon 一样低或更低。FET 的最大阈值电压 (V_GSth-max) 也可以至少比预期为 FET 供电的最低电池电压低 0.5V。例如，BQ25798 的 BATFET 的 R_DSon 典型值为 8mΩ。如果 BQ25798 的电池电压配置为高达 16.8V（最大值）且不低于 10V（最小值），则 V_GS = -10V 下 R_DSon = 7.8mΩ 且采用 3mm x 3mm 8-DFN-EP 封装的 Alpha and Omega AONR21357 是外部用于 2S 应用的并联 BATFET。PFET 的源极至栅极上拉电阻 (R_PU) 必须足够大，以便在 SYS 上无负载时减少电池泄漏（例如，在 MΩ 范围内）；但不能太大（例如大于 10MΩ），不会使 FET 的栅极泄漏（如果很大）导致显著的压降。