EEPROM_Config_Check() 函数提供一般错误检查并配置闪存 API 所需的写入/擦除保护掩码。应在对仿真 EEPROM 单元进行编程或读取之前调用此函数。

第一，该函数验证选择用于 EEPROM 仿真的闪存组是否有效。有效的闪存组选择不得选择组 0 进行仿真，并且必须受特定器件型号的支持。例如，只有某些 F28p65x 型号具有闪存组 2-4，而其他型号没有。要验证该信息，请参阅特定于器件的数据表。

if (FLASH_BANK_SELECT == FlashBank0StartAddress)
{
    return 0xFFFF;
}

if (FLASH_BANK_SELECT == FlashBank2StartAddress)
{
#if !defined(F28P65xDKx) && !defined(F28P65xSKx) && !defined(F28P65xSHx)   
        return 0xFFFF;
#endif
} else if (FLASH_BANK_SELECT == FlashBank3StartAddress) // If using Bank 3
{
#if !defined(F28P65xDKx) && !defined(F28P65xSKx)   
        return 0xFFFF;
#endif
} else if (FLASH_BANK_SELECT == FlashBank4StartAddress) 
{
#if !defined(F28P65xDKx) && !defined(F28P65xSKx) && !defined(F28P65xSHx)   
        return 0xFFFF;
#endif
}

第二，检查选择用于仿真的闪存扇区的有效性。该函数检查：

• FIRST_AND_LAST_SECTOR 是否指示两个单元具有两个不同数量的闪存扇区

  uint16 NUM_EEPROM_SECTORS_1 = FIRST_AND_LAST_SECTOR[0][1] - FIRST_AND_LAST_SECTOR[0][0] + 1;
  uint16 NUM_EEPROM_SECTORS_2 = FIRST_AND_LAST_SECTOR[1][1] - FIRST_AND_LAST_SECTOR[1][0] + 1;
  
  if (NUM_EEPROM_SECTORS_1 != NUM_EEPROM_SECTORS_2)
  {
      return 0xEEEE;
  }

• 选择用于仿真的闪存扇区数量是否多于闪存组中可用的扇区数量

  if (NUM_EEPROM_SECTORS > NUM_FLASH_SECTORS || NUM_EEPROM_SECTORS == 0)
  {
      return 0xEEEE;
  }

• 选择用于仿真的第一个和最后一个扇区的组合是否无效

  if (NUM_EEPROM_SECTORS > 1)
  {
      // Check if FIRST_AND_LAST_SECTOR is sorted in increasing order 
      // and doesn't have duplicates
      if (FIRST_AND_LAST_SECTOR[0][1] <= FIRST_AND_LAST_SECTOR[0][0])
      {
          return 0xEEEE;
      }
      if (FIRST_AND_LAST_SECTOR[1][1] <= FIRST_AND_LAST_SECTOR[1][0])
      {
          return 0xEEEE;
      }
  
      // Check if FIRST_AND_LAST_SECTOR contains invalid sector
      if (FIRST_AND_LAST_SECTOR[0][1] > NUM_FLASH_SECTORS - 1 || FIRST_AND_LAST_SECTOR[0][1] < 1)
      {
          return 0xEEEE;
      }
      if (FIRST_AND_LAST_SECTOR[1][1] > NUM_FLASH_SECTORS - 1 || FIRST_AND_LAST_SECTOR[1][1] < 1)
      {
          return 0xEEEE;
      }
  
  } else // If only using 1 sector
  {
  
      // Verify that only sector is valid
      if (FIRST_AND_LAST_SECTOR[0][0] > NUM_FLASH_SECTORS - 1 || 
              FIRST_AND_LAST_SECTOR[1][0] > NUM_FLASH_SECTORS - 1) {
          return 0xEEEE;
      }
  }

• 两个单元之间是否存在重叠扇区
• if (FIRST_AND_LAST_SECTOR[0][0] <= FIRST_AND_LAST_SECTOR[1][1] && FIRST_AND_LAST_SECTOR[1][0] <= FIRST_AND_LAST_SECTOR[0][1]) { return 0xEEEE; }

如果使用页面模式，还将检查以下各项

• 检查 EEPROM 组和页面的总大小是否适合所选的闪存扇区。

  // Calculate size of each EEPROM Bank (16 bit words)
  Bank_Size = 8 + ((EEPROM_PAGE_DATA_SIZE + 8) * NUM_EEPROM_PAGES);
  
  // Calculate amount of available space (16 bit words)
  uint32 Available_Words = NUM_EEPROM_SECTORS * FLASH_SECTOR_SIZE;
  
  // Check if size of EEPROM Banks and Pages fit in EEPROM sectors
  if (Bank_Size * NUM_EEPROM_BANKS > Available_Words)
  {
      return 0xCCCC;
  }

• 验证两个 EEPROM 单元是否没有重叠的保护掩码

  // Verify that the two EEPROM units do not have overlapping protection 
  // masks
  // First, get sectors for both units
  uint64 WE_Protection_AB_Sectors_Unit_0 = Configure_Protection_Masks(FIRST_AND_LAST_SECTOR[0], NUM_EEPROM_SECTORS);
  uint64 WE_Protection_AB_Sectors_Unit_1 = Configure_Protection_Masks(FIRST_AND_LAST_SECTOR[1], NUM_EEPROM_SECTORS);
  
  if (WE_Protection_AB_Sectors_Unit_0 & WE_Protection_AB_Sectors_Unit_1)
  {
      return 0xEEEE;
  }
  

如果检测到以下情况之一，该消息还会通过相应的返回代码发出警告：

• 配置 EEPROM 组和页面大小后，闪存中会保留一个或多个 EEPROM 组的空间

  // Notify for extra space (more than one EEPROM bank leftover)
  if (Available_Words - (Bank_Size * NUM_EEPROM_BANKS ) >= Bank_Size)
  {
      Warning_Flags += 1;
  }

• 如果每个页面包含少于 5 个 16 位字（这会浪费空间，因为无需状态代码即可使用 64 位模式）

  if (EEPROM_PAGE_DATA_SIZE < 5)
  {
      Warning_Flags += 2;
  }

如果使用 32-127 范围内的扇区（对于 F28P65x 器件）并且未使用分配给写入/擦除保护掩码中单个位的全部八个扇区，则会发出警告。由 single-bit 设计的八个扇区中任何未使用的扇区都无法受到适当的擦除保护。有关写入/擦除保护掩码如何与扇区对应的更多信息，请参阅 TMS320F28P65x 闪存 API 版本 3.02.00.00 参考指南。

uint16 i;
for (i = 0; i < 2; i++)
{
    // If using any sectors from 32-127
    if (FIRST_AND_LAST_SECTOR[i][1] > 31) {

        // If all sectors use protection mask B
        if (FIRST_AND_LAST_SECTOR[i][0] > 31)
        {
            // If using less than 8 sectors
            if (NUM_EEPROM_SECTORS < 8)
            {

                Warning_Flags += 4;
                break;

            } else {
                // If sectors are multiples of 8
                if ((FIRST_AND_LAST_SECTOR[i][0] % 8) != 0 || 
                       ((FIRST_AND_LAST_SECTOR[i][1] + 1) % 8 != 0))
                {
                    Warning_Flags += 4;
                    break;
            }
            }
        } else { // If only last sector is using protection mask B

            // If not a multiple of 8
            if ((FIRST_AND_LAST_SECTOR[i][1] + 1) % 8 != 0) {

                Warning_Flags += 4;
                break;
            }
        }
    }
}

该函数还通过擦除要用于编程的扇区来为仿真准备好闪存。

    // Combine sectors from both units and separate them by which 
    // protection register is used (A or B)
uint32 Combined_WE_Protection_A_Sectors = 
                               (uint32)WE_Protection_AB_Sectors_Unit_0 | 
                                 (uint32)WE_Protection_AB_Sectors_Unit_1;
uint32 Combined_WE_Protection_B_Sectors = 
                                 WE_Protection_AB_Sectors_Unit_0 >> 32 | 
                                   WE_Protection_AB_Sectors_Unit_1 >> 32;

// Create protection masks accordingly
WE_Protection_A_Mask = 0xFFFFFFFF ^ Combined_WE_Protection_A_Sectors;
WE_Protection_B_Mask = 0x00000FFF ^ Combined_WE_Protection_B_Sectors;

Erase_Bank();

最后，为活动 EEPROM 单元配置写入/擦除保护掩码。

// Configure Write/Erase Protection Masks used by the Flash API
uint64 WE_Protection_AB_Mask =     Configure_Protection_Masks(FIRST_AND_LAST_SECTOR[EEPROM_ACTIVE_UNIT], NUM_EEPROM_SECTORS);


WE_Protection_A_Mask = 0xFFFFFFFF ^ (uint32)WE_Protection_AB_Mask;
WE_Protection_B_Mask = 0x00000FFF ^ WE_Protection_AB_Mask >> 32;