ZHCADD5B November   2023  – August 2025 F29H850TU , F29H859TU-Q1 , TMS320F28P650DH , TMS320F28P650DK , TMS320F28P650SH , TMS320F28P650SK , TMS320F28P659DH-Q1 , TMS320F28P659DK-Q1 , TMS320F28P659SH-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1 简介
  5. 2 EEPROM 与片上闪存的区别
  6. 3 概述
    1. 3.1 基本概念
    2. 3.2 单存储单元方法
    3. 3.3 乒乓方法
    4. 3.4 创建 EEPROM 节（页）和页标识
  7. 4 软件说明
  8. 5 乒乓仿真
    1. 5.1 用户配置
      1. 5.1.1 EEPROM_PingPong_Config.h
      2. 5.1.2 F28P65x_EEPROM_PingPong.c
    2. 5.2 测试示例
  9. 6 EEPROM 函数
    1. 6.1  EEPROM_Config_Check
    2. 6.2  Configure_Protection_Masks
    3. 6.3  EEPROM_Write
    4. 6.4  EEPROM_Read
    5. 6.5  EEPROM_Erase
      1. 6.5.1 Erase_Bank
    6. 6.6  EEPROM_GetValidBank
    7. 6.7  EEPROM_UpdateBankStatus
    8. 6.8  EEPROM_UpdatePageStatus
    9. 6.9  EEPROM_UpdatePageData
    10. 6.10 EEPROM_Get_64_Bit_Data_Address
    11. 6.11 EEPROM_Program_64_Bits
    12. 6.12 EEPROM_CheckStatus
    13. 6.13 ClearFSMStatus
  10. 7 单存储单元仿真
    1. 7.1 用户配置
      1. 7.1.1 EEPROM_Config.h
      2. 7.1.2 F28P65x_EEPROM.c
    2. 7.2 EEPROM 函数
      1. 7.2.1  EEPROM_Config_Check
      2. 7.2.2  Configure_Protection_Masks
      3. 7.2.3  EEPROM_Write
      4. 7.2.4  EEPROM_Read
      5. 7.2.5  EEPROM_Erase
      6. 7.2.6  EEPROM_GetValidBank
      7. 7.2.7  EEPROM_Get_64_Bit_Data_Address
      8. 7.2.8  EEPROM_UpdateBankStatus
      9. 7.2.9  EEPROM_UpdatePageStatus
      10. 7.2.10 EEPROM_UpdatePageData
      11. 7.2.11 EEPROM_Get_64_Bit_Data_Address
      12. 7.2.12 EEPROM_Program_64_Bits
      13. 7.2.13 EEPROM_CheckStatus
      14. 7.2.14 ClearFSMStatus
    3. 7.3 测试示例
  11. 8 应用集成
    1. 8.1 软件功能和流程
  12. 9 适配其他第 3 代 C2000 MCU
  13. 10闪存 API
    1. 10.1 闪存 API 检查清单
      1. 10.1.1 使用闪存 API 时的注意事项
  14. 11源文件清单
  15. 12排查
    1. 12.1 通用
  16. 13结语
  17. 14参考资料
  18. 15修订历史记录

7.2.4 EEPROM_Read

EEPROM_Read() 函数的功能是读取最近写入的数据并将该数据存储到临时缓冲区。此函数可用于调试目的，或者在运行时读取存储的数据。页面模式与 64 位模式的行为有所不同。通常，最近写入的数据（页面或 64 位）存储在 Read_Buffer 中。

页面模式：首先，该函数通过检查 Empty_EEPROM 标志来验证数据是否已写入 EEPROM。如果在写入任何数据之前尝试读取数据，则读入缓冲区的值无效并抛出错误。如果数据已写入，则找到当前的 EEPROM 组和页面，然后填充读缓冲区。

uint16 i;

// Check for empty EEPROM
if (Empty_EEPROM)
{
    Sample_Error(); // Attempting to read data that hasn't been written
} else
{
    // Find Current Bank and Current Page
    EEPROM_GetValidBank(1);

    // Increment page pointer to point at first data word
    Page_Pointer += 8;

    // Transfer contents of Current Page to Read Buffer
    for(i=0;i<DATA_SIZE;i++)
    {
        Read_Buffer[i] = *(Page_Pointer++);
    }
    }

64 位模式：首先，该函数通过检查 Empty_EEPROM 标志来验证数据是否已写入 EEPROM。如果在写入任何数据之前尝试读取数据，则读入缓冲区的值无效并抛出错误。如果数据已写入，则指针向后移动四个地址（共 64 位），读取缓冲区被数据填满。

uint16 i;

// Check for empty EEPROM
if (Empty_EEPROM)
{
    Sample_Error(); // Attempting to read data that hasn't been written
} else
{
    // Move the bank pointer backwards to read data
    Bank_Pointer -= 4;

    // Transfer contents of Current Page to Read Buffer
    for(i=0;i<4;i++)
    {
        Read_Buffer[i] = *(Bank_Pointer++);
    }
}