ZHCADD5A November   2023  – April 2024 TMS320F28P650DH , TMS320F28P650DK , TMS320F28P650SH , TMS320F28P650SK , TMS320F28P659DH-Q1 , TMS320F28P659DK-Q1 , TMS320F28P659SH-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1 简介
  5. 2 EEPROM 与片上闪存的区别
  6. 3 概述
    1. 3.1 基本概念
    2. 3.2 单存储单元方法
    3. 3.3 乒乓方法
    4. 3.4 创建 EEPROM 节（页）和页标识
  7. 4 软件说明
    1. 4.1 软件功能和流程
  8. 5 乒乓仿真
    1. 5.1 用户配置
      1. 5.1.1 EEPROM_PingPong_Config.h
      2. 5.1.2 F28P65x_EEPROM_PingPong.c
    2. 5.2 EEPROM 函数
      1. 5.2.1  EEPROM_Config_Check
      2. 5.2.2  Configure_Protection_Masks
      3. 5.2.3  EEPROM_Write
      4. 5.2.4  EEPROM_Read
      5. 5.2.5  EEPROM_Erase
        1. 5.2.5.1 Erase_Bank
      6. 5.2.6  EEPROM_GetValidBank
      7. 5.2.7  EEPROM_UpdateBankStatus
      8. 5.2.8  EEPROM_UpdatePageStatus
      9. 5.2.9  EEPROM_UpdatePageData
      10. 5.2.10 EEPROM_Get_64_Bit_Data_Address
      11. 5.2.11 EEPROM_Program_64_Bits
      12. 5.2.12 EEPROM_CheckStatus
      13. 5.2.13 ClearFSMStatus
    3. 5.3 测试示例
  9. 6 单存储单元仿真
    1. 6.1 用户配置
      1. 6.1.1 EEPROM_Config.h
      2. 6.1.2 F28P65x_EEPROM.c
    2. 6.2 EEPROM 函数
      1. 6.2.1  EEPROM_Config_Check
      2. 6.2.2  Configure_Protection_Masks
      3. 6.2.3  EEPROM_Write
      4. 6.2.4  EEPROM_Read
      5. 6.2.5  EEPROM_Erase
      6. 6.2.6  EEPROM_GetValidBank
      7. 6.2.7  EEPROM_Get_64_Bit_Data_Address
      8. 6.2.8  EEPROM_UpdateBankStatus
      9. 6.2.9  EEPROM_UpdatePageStatus
      10. 6.2.10 EEPROM_UpdatePageData
      11. 6.2.11 EEPROM_Get_64_Bit_Data_Address
      12. 6.2.12 EEPROM_Program_64_Bits
      13. 6.2.13 EEPROM_CheckStatus
      14. 6.2.14 ClearFSMStatus
    3. 6.3 测试示例
  10. 7 应用集成
  11. 8 适配其他第 3 代 C2000 MCU
  12. 9 闪存 API
    1. 9.1 闪存 API 检查清单
      1. 9.1.1 使用闪存 API 时的注意事项
  13. 10源文件清单
  14. 11故障排除
    1. 11.1 常见问题
  15. 12结语
  16. 13参考资料
  17. 14修订历史记录

8 适配其他第 3 代 C2000 MCU

如本文档前面所述，本指南使用 F28P65x 来演示 EEPROM 仿真功能。不过，该工程可以通过对宏和函数定义进行少量更改来适应其他第 3 代 C2000 MCU。为了说明这一点，本节讨论使用 F280013x 所需的更改。

首先，应该指出的是，F280013x 只有一个闪存组，而某些 F28P65x 器件中有五个闪存组。因此，应使用 CPU1_RAM 构建配置而不是 CPU1_FLASH 构建配置。这是必要的，因为闪存 API 无法在包含它的同一闪存组上执行。

此外，EEPROM_Config.h 文件中包含的默认配置使用特定于器件的值来创建定义和宏。这些值应更新为 TMS320F280013x 实时微控制器数据表 中的值。对于 F280013x，这些值恰好与 F28P65x 的默认配置相同，但应始终使用特定于器件的数据表来验证这些值。

#define FLASH_BANK_SELECT 0x80000


#define FLASH_SECTOR_SIZE 0x400


#define NUM_FLASH_SECTORS 128

这些值对于 EEPROM_Config_Check 中的错误检查以及定义 EEPROM 仿真的起始/结束地址非常重要。

最后，使用 F280013x 时需要修改 EEPROM_Config_Check() 函数。默认情况下，闪存组 0 被保留用于存储闪存 API，如果选择此闪存组进行 EEPROM 仿真，该函数将抛出错误。然而，由于选择了 CPU_1_RAM 构建配置，闪存组 0 现在可用于 EEPROM 仿真。因此，应该在函数中删除或注释掉这些行。

if (FLASH_BANK_SELECT == FlashBank0StartAddress)
{
    return 0xFFFF;
}

使用 F280013x 所需的更改相对简单，而使用其他第 3 代 C2000 MCU 可能需要更多更改。有关可用工程的列表、请参阅故障排除章节。