ZHCADD5A November   2023  – April 2024 TMS320F28P650DH , TMS320F28P650DK , TMS320F28P650SH , TMS320F28P650SK , TMS320F28P659DH-Q1 , TMS320F28P659DK-Q1 , TMS320F28P659SH-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1 简介
  5. 2 EEPROM 与片上闪存的区别
  6. 3 概述
    1. 3.1 基本概念
    2. 3.2 单存储单元方法
    3. 3.3 乒乓方法
    4. 3.4 创建 EEPROM 节（页）和页标识
  7. 4 软件说明
    1. 4.1 软件功能和流程
  8. 5 乒乓仿真
    1. 5.1 用户配置
      1. 5.1.1 EEPROM_PingPong_Config.h
      2. 5.1.2 F28P65x_EEPROM_PingPong.c
    2. 5.2 EEPROM 函数
      1. 5.2.1  EEPROM_Config_Check
      2. 5.2.2  Configure_Protection_Masks
      3. 5.2.3  EEPROM_Write
      4. 5.2.4  EEPROM_Read
      5. 5.2.5  EEPROM_Erase
        1. 5.2.5.1 Erase_Bank
      6. 5.2.6  EEPROM_GetValidBank
      7. 5.2.7  EEPROM_UpdateBankStatus
      8. 5.2.8  EEPROM_UpdatePageStatus
      9. 5.2.9  EEPROM_UpdatePageData
      10. 5.2.10 EEPROM_Get_64_Bit_Data_Address
      11. 5.2.11 EEPROM_Program_64_Bits
      12. 5.2.12 EEPROM_CheckStatus
      13. 5.2.13 ClearFSMStatus
    3. 5.3 测试示例
  9. 6 单存储单元仿真
    1. 6.1 用户配置
      1. 6.1.1 EEPROM_Config.h
      2. 6.1.2 F28P65x_EEPROM.c
    2. 6.2 EEPROM 函数
      1. 6.2.1  EEPROM_Config_Check
      2. 6.2.2  Configure_Protection_Masks
      3. 6.2.3  EEPROM_Write
      4. 6.2.4  EEPROM_Read
      5. 6.2.5  EEPROM_Erase
      6. 6.2.6  EEPROM_GetValidBank
      7. 6.2.7  EEPROM_Get_64_Bit_Data_Address
      8. 6.2.8  EEPROM_UpdateBankStatus
      9. 6.2.9  EEPROM_UpdatePageStatus
      10. 6.2.10 EEPROM_UpdatePageData
      11. 6.2.11 EEPROM_Get_64_Bit_Data_Address
      12. 6.2.12 EEPROM_Program_64_Bits
      13. 6.2.13 EEPROM_CheckStatus
      14. 6.2.14 ClearFSMStatus
    3. 6.3 测试示例
  10. 7 应用集成
  11. 8 适配其他第 3 代 C2000 MCU
  12. 9 闪存 API
    1. 9.1 闪存 API 检查清单
      1. 9.1.1 使用闪存 API 时的注意事项
  13. 10源文件清单
  14. 11故障排除
    1. 11.1 常见问题
  15. 12结语
  16. 13参考资料
  17. 14修订历史记录

2 EEPROM 与片上闪存的区别

EEPROM 具有各种不同的容量，并通过串行接口（有时为并行接口）与主机微控制器连接。由于引脚/布线数量超少，串行内部集成电路 (I2C) 和串行外设接口 (SPI) 颇受欢迎。EEPROM 可以进行电编程和擦除，并且大多数串行 EEPROM 支持逐字节编程或擦除操作。

EEPROM 与闪存操作的主要区别就在于擦除操作。EEPROM 不需要扇区擦除操作。用户可以擦除需要指定时间的特定字节。然而，闪存中擦除操作的最小单位是一个扇区。

闪存擦除/写入周期是通过对各个存储单元施加时控电压来执行的。在擦除情况下，每个存储单元（位）读取逻辑 1。因此，被擦除时，C2000 实时控制器的每个闪存位置读取 0xFFFF。通过编程，存储单元可以更改为逻辑 0。任何字都可以被覆盖，将一个位从逻辑 1 更改为 0（假设相应的 ECC 尚未编程）；但无法执行相反的操作。第 3 代 C2000 MCU 器件的片上闪存需要使用 TI 提供的特定算法（闪存 API）来执行擦除和写入操作。

注： 如需了解闪存擦除/编程/读取时间，请参阅特定器件数据手册“电气特性”中的“闪存参数”部分。