ZHCADD5A November   2023  – April 2024 TMS320F28P650DH , TMS320F28P650DK , TMS320F28P650SH , TMS320F28P650SK , TMS320F28P659DH-Q1 , TMS320F28P659DK-Q1 , TMS320F28P659SH-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1 简介
  5. 2 EEPROM 与片上闪存的区别
  6. 3 概述
    1. 3.1 基本概念
    2. 3.2 单存储单元方法
    3. 3.3 乒乓方法
    4. 3.4 创建 EEPROM 节（页）和页标识
  7. 4 软件说明
    1. 4.1 软件功能和流程
  8. 5 乒乓仿真
    1. 5.1 用户配置
      1. 5.1.1 EEPROM_PingPong_Config.h
      2. 5.1.2 F28P65x_EEPROM_PingPong.c
    2. 5.2 EEPROM 函数
      1. 5.2.1  EEPROM_Config_Check
      2. 5.2.2  Configure_Protection_Masks
      3. 5.2.3  EEPROM_Write
      4. 5.2.4  EEPROM_Read
      5. 5.2.5  EEPROM_Erase
        1. 5.2.5.1 Erase_Bank
      6. 5.2.6  EEPROM_GetValidBank
      7. 5.2.7  EEPROM_UpdateBankStatus
      8. 5.2.8  EEPROM_UpdatePageStatus
      9. 5.2.9  EEPROM_UpdatePageData
      10. 5.2.10 EEPROM_Get_64_Bit_Data_Address
      11. 5.2.11 EEPROM_Program_64_Bits
      12. 5.2.12 EEPROM_CheckStatus
      13. 5.2.13 ClearFSMStatus
    3. 5.3 测试示例
  9. 6 单存储单元仿真
    1. 6.1 用户配置
      1. 6.1.1 EEPROM_Config.h
      2. 6.1.2 F28P65x_EEPROM.c
    2. 6.2 EEPROM 函数
      1. 6.2.1  EEPROM_Config_Check
      2. 6.2.2  Configure_Protection_Masks
      3. 6.2.3  EEPROM_Write
      4. 6.2.4  EEPROM_Read
      5. 6.2.5  EEPROM_Erase
      6. 6.2.6  EEPROM_GetValidBank
      7. 6.2.7  EEPROM_Get_64_Bit_Data_Address
      8. 6.2.8  EEPROM_UpdateBankStatus
      9. 6.2.9  EEPROM_UpdatePageStatus
      10. 6.2.10 EEPROM_UpdatePageData
      11. 6.2.11 EEPROM_Get_64_Bit_Data_Address
      12. 6.2.12 EEPROM_Program_64_Bits
      13. 6.2.13 EEPROM_CheckStatus
      14. 6.2.14 ClearFSMStatus
    3. 6.3 测试示例
  10. 7 应用集成
  11. 8 适配其他第 3 代 C2000 MCU
  12. 9 闪存 API
    1. 9.1 闪存 API 检查清单
      1. 9.1.1 使用闪存 API 时的注意事项
  13. 10源文件清单
  14. 11故障排除
    1. 11.1 常见问题
  15. 12结语
  16. 13参考资料
  17. 14修订历史记录

6.2.12 EEPROM_Program_64_Bits

EEPROM_Program_64_Bits() 函数提供将四个 16 位字编程到存储器中的功能。第一个参数 Num_Words 允许用户指定将写入多少个有效字。数据字分配给 Write_Buffer 的前 4 个索引，以供 Fapi_issueProgrammingCommand 函数使用。如果函数调用中指定的字少于四个，则缺少的字将用 0xFFFF 填充。这样做是为了符合 ECC 要求。

首先，测试是否存在已满的 EEPROM 单元。

EEPROM_Get_64_Bit_Data_Address();

接下来，如果指定的字数少于 4，则写入缓冲区中将填充 1。

int i;
for(i = Num_Words; i < 4; i++)
{
    Write_Buffer[i] = 0xFFFF;
}

接下来，对数据进行编程，并且指针递增到对数据进行编程的下一个位置。

// Clears status of previous Flash operation
ClearFSMStatus();

Fapi_setupBankSectorEnable(FLASH_WRAPPER_PROGRAM_BASE+FLASH_O_CMDWEPROTA, WE_Protection_A_Mask);
Fapi_setupBankSectorEnable(FLASH_WRAPPER_PROGRAM_BASE+FLASH_O_CMDWEPROTB, WE_Protection_B_Mask);

oReturnCheck = Fapi_issueProgrammingCommand((uint32*) Bank_Pointer,
                                                Write_Buffer, 4, 0, 0,
                                                Fapi_AutoEccGeneration);

// Wait for completion and check for any programming errors
EEPROM_CheckStatus(&oReturnCheck);
Empty_EEPROM = 0;
// Increment to next location
Bank_Pointer += 4;
注： 在执行 RESET_BANK_POINTER 设置指针之前，无法使用该函数。在本例中，该函数在 EEPROM_Config_Check() 中调用。如果在此之前执行，则可能会生成未知结果。