ZHCADD5A November   2023  – April 2024 TMS320F28P650DH , TMS320F28P650DK , TMS320F28P650SH , TMS320F28P650SK , TMS320F28P659DH-Q1 , TMS320F28P659DK-Q1 , TMS320F28P659SH-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1 简介
  5. 2 EEPROM 与片上闪存的区别
  6. 3 概述
    1. 3.1 基本概念
    2. 3.2 单存储单元方法
    3. 3.3 乒乓方法
    4. 3.4 创建 EEPROM 节（页）和页标识
  7. 4 软件说明
    1. 4.1 软件功能和流程
  8. 5 乒乓仿真
    1. 5.1 用户配置
      1. 5.1.1 EEPROM_PingPong_Config.h
      2. 5.1.2 F28P65x_EEPROM_PingPong.c
    2. 5.2 EEPROM 函数
      1. 5.2.1  EEPROM_Config_Check
      2. 5.2.2  Configure_Protection_Masks
      3. 5.2.3  EEPROM_Write
      4. 5.2.4  EEPROM_Read
      5. 5.2.5  EEPROM_Erase
        1. 5.2.5.1 Erase_Bank
      6. 5.2.6  EEPROM_GetValidBank
      7. 5.2.7  EEPROM_UpdateBankStatus
      8. 5.2.8  EEPROM_UpdatePageStatus
      9. 5.2.9  EEPROM_UpdatePageData
      10. 5.2.10 EEPROM_Get_64_Bit_Data_Address
      11. 5.2.11 EEPROM_Program_64_Bits
      12. 5.2.12 EEPROM_CheckStatus
      13. 5.2.13 ClearFSMStatus
    3. 5.3 测试示例
  9. 6 单存储单元仿真
    1. 6.1 用户配置
      1. 6.1.1 EEPROM_Config.h
      2. 6.1.2 F28P65x_EEPROM.c
    2. 6.2 EEPROM 函数
      1. 6.2.1  EEPROM_Config_Check
      2. 6.2.2  Configure_Protection_Masks
      3. 6.2.3  EEPROM_Write
      4. 6.2.4  EEPROM_Read
      5. 6.2.5  EEPROM_Erase
      6. 6.2.6  EEPROM_GetValidBank
      7. 6.2.7  EEPROM_Get_64_Bit_Data_Address
      8. 6.2.8  EEPROM_UpdateBankStatus
      9. 6.2.9  EEPROM_UpdatePageStatus
      10. 6.2.10 EEPROM_UpdatePageData
      11. 6.2.11 EEPROM_Get_64_Bit_Data_Address
      12. 6.2.12 EEPROM_Program_64_Bits
      13. 6.2.13 EEPROM_CheckStatus
      14. 6.2.14 ClearFSMStatus
    3. 6.3 测试示例
  10. 7 应用集成
  11. 8 适配其他第 3 代 C2000 MCU
  12. 9 闪存 API
    1. 9.1 闪存 API 检查清单
      1. 9.1.1 使用闪存 API 时的注意事项
  13. 10源文件清单
  14. 11故障排除
    1. 11.1 常见问题
  15. 12结语
  16. 13参考资料
  17. 14修订历史记录

3.3 乒乓方法

如果使用乒乓方法，下图展示了实现的行为。如图 3-2 所示，有两个由选定的闪存扇区组成的 EEPROM 单元。一个被标记为活动单元，另一个被标记为非活动单元。首先，数据被写入活动单元。

GUID-20231019-SS0I-KPFS-W2PG-KFWMCHGXL1PQ-low.png图 3-2 乒乓行为

如果活动单元已满并且有更多数据要写入，则活动和非活动 EEPROM 单元将切换。因此，之前的活动单元（已满单元）将被标记为非活动，之前的非活动单元（空单元）将被标记为活动。随后，数据将被写入新的活动 EEPROM 单元。数据成功编程到活动 EEPROM 单元后，非活动 EEPROM 单元被擦除。该方法可确保当当前活动的 EEPROM 单元已满时，在擦除或编程操作期间发生任何失败时，最后成功写入的数据有一个回退选项。

可以根据需要重复该过程。