ZHCAD61A September   2023  – October 2023 MCF8315A , MCF8316A

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1引言
  5. 2第 1 项设计挑战：散热挑战
    1. 2.1 引发散热问题的原因
    2. 2.2 如何解决热问题
      1. 2.2.1 通过硬件解决散热问题
      2. 2.2.2 通过算法解决散热问题
        1. 2.2.2.1 MCF8315 测试 1
        2. 2.2.2.2 MCF8315 测试 2
        3. 2.2.2.3 MCF8316 测试 1
        4. 2.2.2.4 MCF8316 测试 2
      3. 2.2.3 通过 PCB 布局解决散热挑战
  6. 3第 2 项设计挑战：快速启动
    1. 3.1 引发快速启动问题的原因
    2. 3.2 如何解决快速启动问题
  7. 4总结
    1. 4.1 致谢
  8. 5参考资料
  9. 6修订历史记录

2.2.1 通过硬件解决散热问题

由于 MCF831x 器件是集成式 FET 器件，因此 MOSFET 的导通损耗和关断损耗不可避免地会影响热性能。对于大多数对数集成式 FET 电机控制器件，HS+LS 的 Rds(ON) 为 200mΩ 至 300mΩ，但对于 MCF831x，Rds(ON) (Hs+LS) 为 95mΩ，可以大幅降低导通损耗。而对于 MCF831x，MOSFET 下桥的 Rds(ON)用作采样电阻器，以便进一步降低传统驱动器中采样电阻器导致的损耗。

GUID-20230828-SS0I-BFVP-82VQ-SNTHTLRR9BCG-low.png图 2-1 MCF831X 电流检测电路

对于内部 LDO 和降压引起的损耗，请查看图 2-2 中 MCF831x 内部的电源轨路径。

从效率的角度来看，妥善做法是启用内部降压或 LDO，并将降压输出设置为 3.3V，使 LDO 引起的损耗达到最小值。

GUID-20230828-SS0I-CFJL-GMMH-WDBBKR0NTTMH-low.png图 2-2 MCF831X 电源序列