ZHCAC57A February   2023  – February 2023 LMP7704-SP

 

  1.   摘要
  2.   商标
  3. 1概述
  4. 2SEE 机制
  5. 3测试设备和测试板信息
  6. 4辐照设施和设置
  7. 5SEL 结果
  8. 6SET 结果
  9. 7总结
  10.   A 置信区间计算
  11.   B 参考文献
  12.   C 修订历史记录

SET 结果

LMP7704-SP 可应对 2 至 85MeV-cm2/mg 之间的 SET。表 6-2 列出了用于测试的离子。该器件是在室温下以缓冲器配置进行测试的,有四种不同的设置,如表 6-1 所示。所有 SET 照射行程均使用了 104 离子/s-cm2 的注量率。本报告中所讨论的 SET 被定义为输出电压超过预期输出 5% 的窗口触发值。测试过程中观察到正负翻转。

表 6-1 DUT 配置
配置 增益 电源 (±V) 输入 (V) 预期输出 (V) 触发窗口 (V)

1

1

1.35

1

1

0.95–1.05

2

6

2

2

1.9–2.1

3

10

1.35

0.1

1

0.95–1.05

4

6

0.2

2

1.9–2.1

表 6-2 离子和入射角
LETEFF (MeV-cm2/mg) 离子 角度(度)

85

Ho

25.5

75

Ho

0

72

Pr

25.5

65

Pr

0

54

Ag

25.5

48

Ag

0

23

Cu

25.5

9

Ar

0

2

Ne

0

在重离子照射行程中观察到的事件数显示在表 6-3表 6-6 中。在重离子照射行程期间,所有四个通道都受到监控。LMP7704-SP 经过测试,具有 106 至 2 × 106 离子/cm2 的通量范围。

表 6-3 SET 结果:VS = ±1.35V,增益 = 1

LETEFF

(MeV-cm2/mg)

通量

(离子/cm2

Ch1

Ch2

Ch3

Ch4

事件百分比

截面 (cm2)

事件百分比 截面 (cm2) 事件百分比 截面 (cm2) 事件百分比 截面 (cm2)

85

9.96E+05

28

2.81E-05

252

2.53E-04

248

2.49E-04

45

4.52E-05

75

1.00E+06

20

2.00E-05

248

2.48E-04

194

1.94E-04

40

4.00E-05

72

1.01E+06

23

2.29E-05

17

1.69E-05

4

3.98E-06

4

3.98E-06

65

9.70E+05

18

1.86E-05

13

1.34E-05

6

6.19E-06

20

2.06E-05

54

2.00E+06

20

1.00E-05

17

8.52E-06

7

3.51E-06

26

1.30E-05

48

1.99E+06

16

8.04E-06

14

7.04E-06

10

5.03E-06

17

8.54E-06

23

2.00E+06

0

0.00E+00

0

0.00E+00

0

0.00E+00

1

4.99E-07

9

1.99E+06

1

5.03E-07

0

0.00E+00

0

0.00E+00

1

5.03E-07

2

2.00E+06

1

5.00E-07

0

0.00E+00

0

0.00E+00

2

1.00E-06

表 6-4 SET 结果:VS = ±6V,增益 = 1

LETEFF

(MeV-cm2/mg)

通量

(离子/cm2

Ch1

Ch2

Ch3

Ch4

事件百分比 截面 (cm2) 事件百分比 截面 (cm2) 事件百分比 截面 (cm2) 事件百分比 截面 (cm2)

85

1.00E+06

14

1.40E-06

67

6.70E-05

41

4.10E-05

28

2.80E-05

75

1.00E+06

16

1.60E-06

53

5.30E-05

59

5.90E-05

11

1.10E-05

72

1.00E+06

14

1.40E-06

15

1.50E-05

10

9.97E-06

13

1.30E-05

65

9.80E+05

13

1.33E-05

11

1.12E-05

20

2.04E-05

12

1.22E-05

54

2.00E+06

21

1.05E-05

17

8.50E-06

16

8.00E-06

18

9.00E-06

48

2.00E+06

21

1.05E-05

24

1.20E-05

10

5.00E-06

18

9.00E-06

23

2.00E+06

2

1.00E-06

0

0.00E+00

0

0.00E+00

6

3.01E-06

9

1.99E+06

0

0.00E+00

0

0.00E+00

0

0.00E+00

0

0.00E+00

2

1.99E+06

0

0.00E+00

0

0.00E+00

0

0.00E+00

0

0.00E+00

表 6-5 SET 结果:VS = ±1.35V,增益 = 10

LETEFF

(MeV-cm2/mg)

通量

(离子/cm2

Ch1

Ch2

Ch3

Ch4

事件百分比

截面 (cm2)

事件百分比 截面 (cm2) 事件百分比 截面 (cm2) 事件百分比 截面 (cm2)

85

1.01E+06

253

2.50E-04

214

2.12E-04

187

1.85E-04

288

2.85E-04

75

9.99E+05

175

1.75E-04

200

2.00E-04

145

1.45E-04

211

2.11E-04

72

9.68E+05

153

1.58E-04

154

1.59E-04

113

1.17E-04

209

2.16E-04

65

1.00E+06

101

1.01E-04

95

9.50E-05

72

7.20E-05

163

1.63E-04

54

2.00E+06

74

3.70E-05

81

4.05E-05

45

2.25E-05

124

6.20E-05

48

2.00E+06

61

3.06E-05

53

2.66E-05

32

1.60E-05

100

5.01E-05

23

2.00E+06

8

4.00E-06

15

7.50E-06

1

5.00E-07

21

1.05E-05

9

1.99E+06

0

0.00E+00

0

0.00E+00

0

0.00E+00

2

1.01E-06

2

1.99E+06

0

00.00E+00

0

0.00E+00

0

0.00E+00

0

0.00E+00

表 6-6 SET 结果:VS = ±6V,增益 = 10

LETEFF

(MeV-cm2/mg)

通量

(离子/cm2

Ch1

Ch2

Ch3

Ch4

事件百分比

截面 (cm2)

事件百分比 截面 (cm2) 事件百分比 截面 (cm2) 事件百分比 截面 (cm2)

85

1.03E+06

22

2.14E-05

32

3.11E-05

20

1.94E-05

38

3.69E-05

75

9.97E+05

27

2.71E-05

20

2.01E-05

27

2.71E-05

34

3.41E-05

72

1.20E+06

22

1.83E-05

19

1.58E-05

24

1.99E-05

35

2.91E-05

65

1.00E+06

19

1.90E-05

14

1.40E-05

27

2.70E-05

30

3.00E-05

54

2.00E+06

31

1.55E-05

19

9.51E-06

38

1.90E-05

65

3.25E-05

48

2.00E+06

27

1.35E-05

19

9.50E-06

21

1.05E-05

27

1.35E-05

23

2.00E+06

2

1.00E-06

0

0.00E+00

1

5.00E-07

2

1.00E-06

9

2.00E+06

0

0.00E+00

0

0.00E+00

0

0.00E+00

2

1.00E-06

2

1.99E+06

0

0.00E+00

0

0.00E+00

0

0.00E+00

0

0.00E+00

图 6-1图 6-8 显示了每种测试配置在 85MeV-cm2/mg 条件下的最坏情况正负瞬变。重要的是,未观察到达到电源电压电平的 SET。

当使用 VS = ±1.35V、增益 = 1 进行测试时,最坏情况的正瞬变发生在通道 2 上并达到 1.189V 的峰值。该事件持续了 1.2µs。最坏情况的负瞬变发生在通道 1 上,达到 0.79V 的峰值。该事件持续了 0.39µs。

GUID-74EF9ECA-7265-4986-AA06-8DEDF6A2360E-low.png图 6-1 VS = ±1.35V、增益 = 1 时照射行程 4 中最坏情况下的正瞬变
GUID-B903C961-9124-4729-ADC0-B7BBB9686B71-low.png图 6-2 VS = ±1.35V、增益 = 1 时照射行程 4 中最坏情况下的负瞬变

当使用 VS = ±6V、增益 = 1 进行测试时,最坏情况的正瞬变发生在通道 2 上并达到 2.34V 的峰值。该事件持续了 0.81µs。最坏情况的负瞬变发生在通道 4 上,达到 1.62V 的峰值。该事件持续了 0.39µs。

GUID-A45A3E42-ED25-4040-B5BE-8308B46AC8C3-low.png图 6-3 VS = ±6V、增益 = 1 时照射行程 3 中最坏情况下的正瞬变
GUID-85D0FE89-A489-43F6-BACC-57367E386B18-low.png图 6-4 VS = ±6V、增益 = 1 时照射行程 3 中最坏情况下的负瞬变

当使用 VS = ±1.35V、增益 = 10 进行测试时,最坏情况的正瞬变发生在通道 3 上并达到 1.2V 的峰值。该事件持续了 1.44µs。最坏情况的负瞬变发生在通道 4 上,达到 0.72V 的峰值。该事件持续了 1.43µs。

GUID-5646157F-9F71-4734-B433-07617545DFCE-low.png图 6-5 VS = ±1.35V、增益 = 10 时照射行程 5 中最坏情况下的正瞬变
GUID-13785754-A052-4791-A176-BEC443BE7DAA-low.png图 6-6 VS = ±1.35V、增益 = 10 时照射行程 5 中最坏情况下的负瞬变

当使用 VS = ±6V、增益 = 10 进行测试时,最坏情况的正瞬变发生在通道 4 上并达到 2.56V 的峰值。该事件持续了 0.32µs。最坏情况的负瞬变发生在通道 1 上,达到 1.7V 的峰值。该事件持续了 2µs。

GUID-228C5D61-505C-4450-909E-9E2AB8D57CEA-low.png图 6-7 VS = ±6V、增益 = 10 时照射行程 6 中最坏情况下的正瞬变
GUID-1EE8622A-C5D9-4E4C-A56B-A13A81E68FBA-low.png图 6-8 VS = ±6V、增益 = 10 时照射行程 6 中最坏情况下的负瞬变
GUID-8A992C11-21B9-4925-B8C6-F685845060BD-low.png图 6-9 电源电压为 ±1.35V 且增益为 1 时每次翻转的瞬态恢复时间直方图
GUID-9D7ACD4C-BA62-4D40-BE1D-FB9272889B26-low.png图 6-10 电源电压为 ±6V 且增益为 1 时每次翻转的瞬态恢复时间直方图
GUID-EBF41A7D-7391-4306-858E-A26D93691A1B-low.png图 6-11 电源电压为 ±1.35V 且增益为 10 时每次翻转的瞬态恢复时间直方图
GUID-CBF6422B-EE62-4E96-B97C-4F1CFA445220-low.png图 6-12 电源电压为 ±6V 且增益为 10 时每次翻转的瞬态恢复时间直方图

图 6-13图 6-28 显示了针对每个通道 SET 测试期间使用的不同运行模式的 SET 截面图与 LET 关系图。在较低的 LET 下,发生的瞬态事件极少 (≤2),导致不同通道的起始时间不同。这会导致每个通道的截面图看起来不同。

GUID-E5B5D8AD-05D7-4190-9BCB-D8662884BE06-low.png图 6-13 威布尔图:VS ±1.35V 且增益 = 1 - 通道 1
GUID-3D06198A-1E1E-4D83-A780-3FB913AFB043-low.png图 6-15 威布尔图:VS ±1.35V 且增益 = 1 - 通道 3
GUID-8EC12227-7F3E-4F2A-8AB4-CF6BC10E367D-low.png图 6-17 威布尔图:VS ±6V 且增益 = 1 - 通道 1
GUID-49532AE4-C796-40DE-B626-BD3D418395F6-low.png图 6-19 威布尔图:VS ±6V 且增益 = 1 - 通道 3
GUID-F31A02C6-0B5B-456A-9ADE-4E1DD64FC76A-low.png图 6-21 威布尔图:VS ±1.35V 且增益 = 10 - 通道 1
GUID-E591B5DB-B58C-4D98-A09D-6BE2B0FB85BD-low.png图 6-23 威布尔图:VS ±1.35V 且增益 = 10 - 通道 3
GUID-7B886F87-F79E-4F27-A0D4-62F9BFF79253-low.png图 6-25 威布尔图:VS ±6V 且增益 = 10 - 通道 1
GUID-C930842D-68EA-4AE8-94F0-AF766F9E8279-low.png图 6-27 威布尔图:VS ±6V 且增益 = 10 - 通道 3
GUID-53AD2B5E-511D-4D96-A6F9-58E0ADC7AA85-low.png图 6-14 威布尔图:VS ±1.35V 且增益 = 1 - 通道 2
GUID-252E96B4-5911-4C43-B902-DB970ECC5077-low.png图 6-16 威布尔图:VS ±1.35V 且增益 = 1 - 通道 4
GUID-0F5AAD3D-E937-426B-8BD3-F4BC5C4CD202-low.png图 6-18 威布尔图:VS ±6V 且增益 = 1 - 通道 2
GUID-F78ACEED-B3D2-4ABB-88F8-2159C7A340CF-low.png图 6-20 威布尔图:VS ±6V 且增益 = 1 - 通道 4
GUID-4F68E209-4180-4533-B1DE-2AA10B8696C6-low.png图 6-22 威布尔图:VS ±1.35V 且增益 = 10 - 通道 2
GUID-FBF7DCA5-3C43-48B2-85CC-80333D90A4F2-low.png图 6-24 威布尔图:VS ±1.35V 且增益 = 10 - 通道 4
GUID-B3A9588E-8D56-45A2-95F3-900515483BDA-low.png图 6-26 威布尔图:VS ±6V 且增益 = 10 - 通道 2
GUID-C1FF32AF-4FE7-4531-8D58-FC69F8B21433-low.png图 6-28 威布尔图:VS ±6V 且增益 = 10 - 通道 4