7 电容放大的概念

用于降低 CM 噪声的 AEF 电路可在所需频率范围内放大 CM 扼流圈的视在电感或 Y 电容器的视在电容。针对 CM 衰减配置的 VSCI AEF 使用一个放大器级作为注入电容器 C_INJ 的电容倍增器。正是这种较高的有源电容值支持以较低的 CM 扼流圈值实现目标衰减。

观察图 6-1，方程式 1 显示注入电容实际上会乘以 G_AEF（即从电源线路到放大器输出的 CM 电压增益）：

方程式 1.

v_{C_{I N J}} = [1 - G_{AEF} (f)] v_{AEF}

i_{C_{I N J}} = C_{INJ} \frac{d v_{C_{I N J}}}{d t} = [1 - G_{AEF} (f)] C_{INJ} \frac{d v_{AEF}}{d t}

\Rightarrow C_{INJ,active} (f) = |1 - G_{AEF} (f)| C_{INJ}

图 7-1 展示了启用和禁用 FB-VSCI AEF 电路时的注入网络阻抗仿真图。高于 2kHz（尤其是高于 100kHz）的较低阻抗是由 4.7nF 注入电容器的有源电路及其相关阻尼网络的电容放大引起的。

图 7-1 启用 AEF 时的注入分支阻抗 Z_INJ 与传统 Y 电容器的比较示例，展示了通过有源反馈操作在较高频率下提升的等效电容