ZHCAAJ5A July   2018  – July 2021 TAS5825M

 

  1.   商标
  2. 1总体概述
  3. 2先进的发射抑制技术
    1. 2.1 展频调制
    2. 2.2 去相和多器件相位同步
  4. 3实现 EMC 的印刷电路板设计
    1. 3.1 印刷电路板布局布线
    2. 3.2 铁氧体磁珠滤波器
    3. 3.3 电源线和扬声器线
    4. 3.4 TAS5825M 器件配置
  5. 4TAS5825M EMI 测试结果
    1. 4.1 EN55022 辐射发射结果
    2. 4.2 EN55022 传导发射结果
    3. 4.3 结论
  6. 5修订历史记录

3.2 铁氧体磁珠滤波器

采用低成本铁氧体磁珠滤波器来抑制 EMI 。将它们靠近放大器输出端放置，旨在尽可能减少环路天线。在低频时，铁氧体磁珠充当没有直流压降的 0Ω 电阻。不过，在高于 1MHz 的频率下，铁氧体磁珠的阻抗会显著增加，可抑制辐射。铁氧体磁珠对系统的 THD+N 也起着重要作用。经测试并与 TAS5825M 器件配合良好的铁氧体磁珠示例包括 Murata（村田）的 NFZ2MSM 系列。

铁氧体磁珠的权衡因素是其阻抗和额定电流。如果额定电流能够满足系统要求，更大的阻抗意味着更大的 EMI 裕度，特别是针对 5MHz 至 50MHz 的频率范围。典型值为 300Ω@100MHz，在大多数应用中可满足 EMI 要求。

电容器的权衡因素是其电容和空闲电流。较大的电容将带来较大的空闲电流。在 5MHz 至 100MHz 范围内使用 2.2nF 而非 1nF 电容器会很有帮助。